三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程

  ICC訊 8月14日消息，據臺灣媒體報道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”，稱(chēng)這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。

圖片來(lái)自三星電子官方

  三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡(jiǎn)稱(chēng)TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應用嚴苛的表現需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動(dòng)和穿戴設備等。

  三星晶圓代工市場(chǎng)策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進(jìn)的極紫外光(EUV)制程節點(diǎn)時(shí)，也能穩定聯(lián)通。

  三星稱(chēng)，X-Cube可用于5納米和7納米制程。有了X-Cube技術(shù)，IC設計師打造符合自身需求的定制化解決方案時(shí)，將有更多靈活性。