光迅科技下一代相干無(wú)源器件解決方案備受關(guān)注

  ICC訊 近年來(lái)，相干光通信發(fā)展迅猛，在DCI市場(chǎng)，相干光模塊年復合增長(cháng)率達20%，其中400G PTP年復合增長(cháng)率高達74%，國內骨干網(wǎng)市場(chǎng)400G DP-QPSK預計將大面積商用，可支持城域網(wǎng)部署單載波1.6Tb/s相干產(chǎn)品呼之欲出，以上因素使得下一代相干無(wú)源器件解決方案備受關(guān)注。

  一方面，相干模塊將往更高單載波速率方向發(fā)展，另一方面，為了便于工程開(kāi)通、提升單板密度，封裝形式也從MSA到CFP/CFP2到QSFP-DD的可插拔、小型化方向發(fā)展，體積大幅縮小對模塊內部布局形成了巨大挑戰。為獲取更遠傳輸距離、更優(yōu)傳輸特性，模塊內部配置EDFA成為首選方案，內置無(wú)源器件的小型化、集成化、高可靠性則尤為重要，光迅科技在該方向取得突破性進(jìn)展。

  在小型化可調器件方面，光迅科技推出φ2.4 MEMS VOA和3.5mm高Ultra Mini TOF，支持C+L應用。φ2.4 MEMS VOA較常規器件尺寸縮小80%，可滿(mǎn)足小型化EDFA和線(xiàn)路側模塊的布局要求，同時(shí)面對高集成化帶來(lái)的高溫環(huán)境問(wèn)題，VOA產(chǎn)品采用獨特的工藝和結構設計，可長(cháng)期高溫穩定工作。Ultra Mini TOF高度降低到3.5mm，并將最大驅動(dòng)電壓降低至12V，簡(jiǎn)化客戶(hù)電路板設計，使其更便于集成在相干模塊內置EDFA中，提升模塊傳輸性能。

  MEMS VOA φ2.4 x16mm

  3.5mm 高Ultra Mini TOF

  在微光學(xué)器件方面，光迅科技推出φ2.2 IWDM、φ2.2 ITAPD、φ1.8 Mini Tappd、φ3.0保偏類(lèi)器件。該類(lèi)器件通過(guò)110℃長(cháng)期存儲，高溫、高功率長(cháng)期掛機等測試，應用于小型化光模塊中，可幫助客戶(hù)簡(jiǎn)化模塊設計，給設計提供更多空間冗余。

  IWDM Hybrid φ2.2x20mm