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光器件助力我國光通信由大轉強

摘要:我國光通信產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,產(chǎn)業(yè)規模和產(chǎn)品種類(lèi)不斷擴大,競爭力持續提升,尤其系統設備環(huán)節已成為全球中堅力量。然而我國光通信產(chǎn)業(yè)卻“大”而不“強”,位于產(chǎn)業(yè)鏈源頭的光器件與領(lǐng)先國家存在較大差距,近期美國對中興的制裁事件再一次敲響我國在該領(lǐng)域核心技術(shù)缺失的警鐘。

  ICCSZ訊 高清視頻、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等新型業(yè)務(wù)的迅速發(fā)展帶來(lái)數據流量的急劇上升,光通信網(wǎng)絡(luò )作為信息通信基礎設施之一,對上層業(yè)務(wù)及應用的發(fā)展起到重要的承載支撐作用。我國光通信產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,產(chǎn)業(yè)規模和產(chǎn)品種類(lèi)不斷擴大,競爭力持續提升,尤其系統設備環(huán)節已成為全球中堅力量。然而我國光通信產(chǎn)業(yè)卻“大”而不“強”,位于產(chǎn)業(yè)鏈源頭的光器件與領(lǐng)先國家存在較大差距,近期美國對中興的制裁事件再一次敲響我國在該領(lǐng)域核心技術(shù)缺失的警鐘。

  新技術(shù)提出新需求 技術(shù)方案有待收斂

  廣義的光器件技術(shù)范疇包含由小到大的光芯片、光器件和光模塊,更高速率、更低成本、更寬溫度范圍和集成化是整體發(fā)展趨勢。從產(chǎn)品維度來(lái)看,由于以太網(wǎng)等業(yè)務(wù)速率的發(fā)展速度遠超過(guò)光器件帶寬能力,多根光纖或多路波長(cháng)等多通道的實(shí)現方式以及高階調制成為實(shí)現高速率光模塊的重要技術(shù)方案。25GBaud光電芯片平臺目前已成為主流,可支持單通道25Gb/s 非歸零(NRZ)信號、單通道50Gb/s 四電平脈沖幅度調制(PAM4)信號、單通道100Gb/s 雙偏振正交相移鍵控(DP-QPSK)等信號。通道數量決定封裝、功耗和成本,產(chǎn)業(yè)鏈將始終瞄準最少通道的技術(shù)方向,業(yè)界已開(kāi)始布局基于50GBaud光電平臺的單通道100Gb/s PAM4和4通道400Gb/s PAM4 光模塊。同時(shí),5G即將步入商用進(jìn)程,對光模塊提出巨大需求的同時(shí)也對光芯片提出了新型挑戰。例如在前傳方面,AAU側光模塊涉及室外應用,需要工業(yè)級(-40℃~85℃)的激光器芯片,目前25GBaud激光器芯片在寬溫實(shí)現方面尚存在較大挑戰。目前,在數據中心、5G等領(lǐng)域基于不同需求和技術(shù)方案的光模塊種類(lèi)過(guò)多,一定程度上帶來(lái)研發(fā)方多頭投入的負擔,有待求同存異進(jìn)行收斂。

  從產(chǎn)業(yè)鏈維度來(lái)看,光器件材料多樣化,每種材料的特性及匹配器件各不相同,光芯片的工藝流程又與材料、功能和結構設計息息相關(guān),制作工藝不統一;同時(shí),光芯片制造和器件封裝精度高、出貨量小、規格變化快,導致其生產(chǎn)自動(dòng)化程度較低,成本的降低需全面考量產(chǎn)能、良率和性能等多方面因素。與集成電路類(lèi)似,光器件也可以實(shí)現多個(gè)功能元件的集成,稱(chēng)之為光子集成(PIC)技術(shù),目前中小規模PIC已經(jīng)成熟并取得廣泛商用,大規模PIC集成度達到數百個(gè)元器件。硅光技術(shù)是PIC的重要分支,基于硅或與硅兼容的材料利用CMOS工藝進(jìn)行光器件的開(kāi)發(fā)與集成,具有低成本規模生產(chǎn)的巨大潛力。近年來(lái)硅光產(chǎn)業(yè)鏈不斷構建,但由于異質(zhì)光源集成、標準CMOS工藝兼容性、封裝成本高等限制,硅光技術(shù)在100Gb/s光模塊領(lǐng)域尚未實(shí)現規模商用,未來(lái)有望在400Gb/s和1Tb/s等更高速率發(fā)揮優(yōu)勢。

  產(chǎn)業(yè)鏈長(cháng)形態(tài)多樣 并購重組整合加劇

  光器件產(chǎn)業(yè)鏈較長(cháng),由于器件和材料種類(lèi)的不同,在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節有不同廠(chǎng)商參與,且數量較多,具備集成制造(IDM)和專(zhuān)注于設計的Fabless等不同形態(tài)。龍頭光器件商以IDM為主,擁有芯片設計、制造、封測以及模塊組裝全套能力。然而與系統設備、光纖光纜等光通信產(chǎn)業(yè)鏈其他環(huán)節相比,光器件環(huán)節的市場(chǎng)份額仍比較分散、集中度低。

  近年來(lái),光器件領(lǐng)域資本運作頻繁并購重組不斷,主導者多為美國廠(chǎng)商,集中度和競爭力進(jìn)一步提升,也不乏光迅、海信、華為等我國廠(chǎng)商的身影。并購重組原因主要有幾大類(lèi):第一類(lèi)以器件商之間合并為代表的“橫向整合”,光器件產(chǎn)品種類(lèi)和涉及技術(shù)多,單類(lèi)型產(chǎn)品市場(chǎng)規模有限,通過(guò)并購進(jìn)行技術(shù)、產(chǎn)品及客戶(hù)協(xié)同,實(shí)現規模效應;第二類(lèi)是以器件模塊商向上游芯片、外延等領(lǐng)域擴展,以及設備商向上游模塊芯片領(lǐng)域擴展為代表的“縱向上游整合”,上游芯片研發(fā)周期長(cháng)、投入大,不同類(lèi)型的光芯片基于不同工藝平臺,內生式發(fā)展難度大,通過(guò)并購實(shí)現垂直整合可有效降低成本,同時(shí)提升貨源穩定性和產(chǎn)品融合性;第三類(lèi)是以高端器件商剝離下游封裝業(yè)務(wù)為代表的“縱向下游剝離”,產(chǎn)業(yè)鏈下游競爭日益激烈,器件商剝離光模塊組裝等下游業(yè)務(wù),聚焦高端芯片。

  從盈利能力來(lái)看,與光通信全產(chǎn)業(yè)鏈其他公司相比,光器件商的平均純利潤率最低,研發(fā)同類(lèi)產(chǎn)品的廠(chǎng)商過(guò)多,價(jià)格戰競爭激烈。隨著(zhù)近期兩起重大并購事件的發(fā)生,2018年3月第二大光器件商Lumentum收購排名緊隨其后的Oclaro、2018年11月II-VI收購第一大光器件商Finisar,光器件行業(yè)整合加劇,開(kāi)始由市場(chǎng)份額分散、集中度低的完全競爭階段向集中化階段邁進(jìn)。未來(lái)幾年,市場(chǎng)競爭格局將持續演化,有效整合有利于促進(jìn)行業(yè)規范發(fā)展。

  我國產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡 技術(shù)、環(huán)境和資金是掣肘

  我國光器件產(chǎn)業(yè)在政策驅動(dòng)、市場(chǎng)牽引及新興應用的促進(jìn)下,整體產(chǎn)業(yè)規模穩步增長(cháng)、產(chǎn)業(yè)實(shí)力不斷提升,約占全球20%~25%左右的市場(chǎng)份額,在無(wú)源及有源光器件芯片中低端產(chǎn)品領(lǐng)域以及光模塊等產(chǎn)業(yè)鏈下游領(lǐng)域緊跟領(lǐng)先水平或與領(lǐng)先水平保持同步,然而高端產(chǎn)品研發(fā)能力薄弱,面臨產(chǎn)品結構不合理、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡的嚴峻挑戰。核心光電芯片國產(chǎn)化率低,根據工信部電子司指導發(fā)布的《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖(2018~2022年)》,10Gb/s光芯片國產(chǎn)化率接近50%,25Gb/s及以上光芯片國產(chǎn)化率僅為3%。此外,高速驅動(dòng)、PAM4和DSP等電芯片國產(chǎn)化率極低,依賴(lài)以美日為主的進(jìn)口。

  技術(shù)能力、產(chǎn)業(yè)環(huán)境和資金投入等方面的不足是我國光器件行業(yè)發(fā)展的重要掣肘。第一,技術(shù)能力的巨大差距是競爭力不強的根本原因,國外領(lǐng)先企業(yè)占據先發(fā)優(yōu)勢把控產(chǎn)業(yè)鏈高端,我國設計工具、基礎工藝、儀表裝備等產(chǎn)業(yè)基礎配套能力弱,企業(yè)固定資產(chǎn)投資負擔重,價(jià)格競爭激烈利潤率低,難以維系巨型研發(fā)投入,行業(yè)發(fā)展以跟隨為主,創(chuàng )新能力不足以支撐在新一代技術(shù)中實(shí)現超越。第二,產(chǎn)業(yè)環(huán)境方面,我國企業(yè)規模普遍較小、群體不夠強壯,在融資、技術(shù)開(kāi)發(fā)、標準引領(lǐng)等方面存在不足。我國雖擁有優(yōu)質(zhì)系統設備商,但上下游企業(yè)間的研發(fā)合作有限,市場(chǎng)化競爭中國產(chǎn)芯片較難通過(guò)上下游間的迭代驗證來(lái)突破可靠性、量產(chǎn)等關(guān)鍵問(wèn)題。第三,光器件芯片研發(fā)周期長(cháng)、資金投入大,我國國家及地方政府的產(chǎn)業(yè)扶持資金和市場(chǎng)資本投入均存在不足,限制了高端產(chǎn)品研發(fā)能力的提升以及創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)氛圍和成果的快速轉化落地。

  綜上,光器件芯片具有技術(shù)含量高、研發(fā)投入大、回報周期長(cháng)和產(chǎn)業(yè)群體性強等特征,其發(fā)展需要良好的整體規劃、產(chǎn)業(yè)基礎和平臺做支撐。我國應基于產(chǎn)業(yè)自身特點(diǎn)和發(fā)展現狀,圍繞核心優(yōu)勢,補齊短板差距,突破關(guān)鍵技術(shù),優(yōu)化產(chǎn)品結構,強化產(chǎn)業(yè)基礎與底層技術(shù)創(chuàng )新,推動(dòng)各方形成合力共同促進(jìn)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。

內容來(lái)自:中國信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)-人民郵電報
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