英特爾加速芯片制程工藝和封裝技術(shù)創(chuàng )新

  ICC訊 7月27日，英特爾公司公布了公司有史以來(lái)最詳細的芯片制程工藝和封裝技術(shù)路線(xiàn)圖，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng )新，這些創(chuàng )新技術(shù)將不斷驅動(dòng)從現在到2025年乃至更遠未來(lái)的新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。此外，英特爾還公開(kāi)了其代工服務(wù)首次合作的兩位重要客戶(hù)。

  除了公布其十多年來(lái)首個(gè)全新晶體管架構RibbonFET和業(yè)界首個(gè)全新的背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò )PowerVia之外，英特爾還重點(diǎn)介紹了迅速采用下一代極紫外光刻(EUV)技術(shù)的計劃，即高數值孔徑(High-NA)EUV。據悉，英特爾有望率先擁有業(yè)界第一臺High-NA EUV光刻機。

  結合世界先進(jìn)的研發(fā)流程，英特爾推出過(guò)諸多深刻影響了半導體生態(tài)的行業(yè)首創(chuàng )技術(shù)，如應變硅、高K金屬柵極和3D FinFET晶體管等?，F在，英特爾延續這一傳統制定創(chuàng )新路線(xiàn)圖，其中不僅包括晶體管級的技術(shù)增強，還將創(chuàng )新延伸至互聯(lián)和標準單元級，以加快每年制程工藝的提升速度。

  在披露芯片制程工藝路線(xiàn)圖時(shí)，英特爾宣布不再使用此前尺寸單位(如納米)的數字來(lái)命名的方式，而是引入了基于關(guān)鍵技術(shù)參數包括性能、功耗和面積等的新命名體系。隨著(zhù)行業(yè)越來(lái)越接近“1納米”節點(diǎn)，英特爾希望改變命名方式以更好地反映全新的創(chuàng )新時(shí)代。具體而言，在Intel 3之后的下一個(gè)節點(diǎn)將被命名為Intel 20A，這一命名反映了向新時(shí)代的過(guò)渡，即工程師在原子水平上制造器件和材料的時(shí)代半導體的埃米時(shí)代。

  英特爾表示，對于未來(lái)十年走向超越“1納米”節點(diǎn)的創(chuàng )新，英特爾有著(zhù)一條清晰的路徑。在窮盡元素周期表之前，摩爾定律都不會(huì )失效，英特爾將持續利用硅元素的力量不斷推進(jìn)創(chuàng )新。