蘋(píng)果將首發(fā)臺積電2nm工藝：最快2025年量產(chǎn)

  ICC訊  據媒體報道，蘋(píng)果公司首席運營(yíng)Jeff Williams拜訪(fǎng)臺積電，雙方舉辦了一場(chǎng)秘密會(huì )議，蘋(píng)果將包圓臺積電初期2nm工藝產(chǎn)能。

  據悉，臺積電在2nm制程中首次使用GAAFET技術(shù)，區別于3nm和5nm制程所采用的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構，GAAFET架構是以環(huán)繞閘極(GAA)制程為基礎的架構，可以解決FinFETch因為制程微縮而產(chǎn)生的電流控制漏電等物理極限問(wèn)題。

  與FinFET晶體管技術(shù)相比，GAAFET晶體管技術(shù)結構更復雜，閾值電壓更低，這樣性能更強，耗電量更低，功耗表現更佳。

  據悉，臺積電正在花費數十億美元進(jìn)行產(chǎn)線(xiàn)升級，而蘋(píng)果也需要改變芯片設計以適應新技術(shù)。

  眾所周知，蘋(píng)果是臺積電的主要客戶(hù)，它通常是第一個(gè)獲得臺積電最新芯片制程的客戶(hù)，例如蘋(píng)果在2023年包下了臺積電用于iPhone、iPad和Mac的所有3nm芯片產(chǎn)能。

  因此，臺積電2nm也將由蘋(píng)果首發(fā)使用，這項工藝制程最快會(huì )在2025年量產(chǎn)。