我國科學(xué)家制備出 強發(fā)光方向性量子點(diǎn)材料

  ICC訊 記者3月28日從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校中國科學(xué)院微觀(guān)磁共振重點(diǎn)實(shí)驗室杜江峰院士、樊逢佳教授等人與其他科研人員合作，在量子點(diǎn)合成過(guò)程中引入晶格應力，調控量子點(diǎn)的能級結構，獲得了具有強發(fā)光方向性的量子點(diǎn)材料，此材料應用在量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）中有望大幅提升器件的發(fā)光效率。這一研究成果日前發(fā)表在《科學(xué)進(jìn)展》雜志上。

  外量子效率（EQE）是QLED器件性能的一個(gè)重要評價(jià)指標，因此一直是國內外相關(guān)研究關(guān)注的重點(diǎn)。然而隨著(zhù)研究的推進(jìn)，器件的內量子效率已經(jīng)趨于極限，這時(shí)若要進(jìn)一步提升EQE須從外耦合效率角度入手，即提升器件的發(fā)光效率。在提升外耦合效率方面，外加光柵或散射結構的方式會(huì )增加額外的成本，并帶來(lái)諸如角度色差等問(wèn)題?；诖?，不增加額外的結構而使用具有方向性的發(fā)光材料，被認為是一種更為可行的解決方案。

  然而，QLED中使用的量子點(diǎn)材料并不具有天然的發(fā)光偏振，針對這一點(diǎn)，研究團隊經(jīng)過(guò)理論計算和實(shí)驗設計，在核—殼量子點(diǎn)制備過(guò)程中引入不對稱(chēng)應力，該應力成功調制了量子點(diǎn)的能級結構，使量子點(diǎn)的最低激發(fā)態(tài)變?yōu)橛芍乜昭ㄖ鲗У拿鎯绕衲芗?。隨后，他們使用背焦面成像等手段確認了此量子點(diǎn)材料的發(fā)光偏振，88%的面內偏振占比使該材料具有很強的發(fā)光方向性。

  發(fā)光方向性的提升可以將QLED的效率極限從30%提升到39%，為制造超高效率的QLED器件提供了一種新的解決思路。