臺積電發(fā)布產(chǎn)品規劃藍圖預計2030年邁入1nm時(shí)代

訊石光通訊網(wǎng) 發(fā)布時(shí)間:2023/12/28 10:29:38 編者:-

摘要：臺積電日前在2023年IEEE國際電子元件會(huì )議上，發(fā)布進(jìn)軍至1nm制程的產(chǎn)品規劃藍圖。

ICC訊《科創(chuàng )板日報》28日訊，臺積電日前在2023年IEEE國際電子元件會(huì )議上，發(fā)布進(jìn)軍至1nm制程的產(chǎn)品規劃藍圖。預計到2030年，在3D封裝內提供超過(guò)1兆個(gè)晶體管，且公司正在開(kāi)發(fā)在單體式(monolithic)架構包含2000億個(gè)晶體管的芯片。為了實(shí)現這一目標，該公司重申正在致力于發(fā)展2nm級N2和N2P生產(chǎn)節點(diǎn)、1.4nm級A14和1nm級A10制造工藝，預計將于2030年完成。

內容來(lái)自：財聯(lián)社
本文地址：http://joq5k4q.cn//Site/CN/News/2024/01/03/20240103023018727601.htm 轉載請保留文章出處
關(guān)鍵字:
文章標題:臺積電發(fā)布產(chǎn)品規劃藍圖預計2030年邁入1nm時(shí)代

1、凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：訊石光通訊網(wǎng)”及標有原創(chuàng )的所有作品，版權均屬于訊石光通訊網(wǎng)。未經(jīng)允許禁止轉載、摘編及鏡像，違者必究。對于經(jīng)過(guò)授權可以轉載我方內容的單位，也必須保持轉載文章、圖像、音視頻的完整性，并完整標注作者信息和本站來(lái)源。
2、免責聲明，凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：XXX（非訊石光通訊網(wǎng)）”的作品，均為轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀(guān)點(diǎn)和對其真實(shí)性負責。因可能存在第三方轉載無(wú)法確定原網(wǎng)地址，若作品內容、版權爭議和其它問(wèn)題，請聯(lián)系本網(wǎng)，將第一時(shí)間刪除。
聯(lián)系方式：訊石光通訊網(wǎng)新聞中心　電話(huà)：0755-82960080-168 Right

臺積電發(fā)布產(chǎn)品規劃藍圖 預計2030年邁入1nm時(shí)代

相關(guān)新聞

臺積電發(fā)布產(chǎn)品規劃藍圖預計2030年邁入1nm時(shí)代