臺積電1.4nm制程命名為A14 有望于2027-2028年量產(chǎn)

  ICC訊 臺積電在IEEE國際電子器件會(huì )議（IEDM）的“邏輯的未來(lái)”小組上透露，臺積電1.4nm級制造技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利進(jìn)行。臺積電強調，使用其2nm級制造工藝的量產(chǎn)有望在2025年實(shí)現。

  根據SemiAnalysis的Dylan Patel發(fā)布的幻燈片，臺積電的1.4nm生產(chǎn)節點(diǎn)正式命名為A14。目前，臺積電尚未透露計劃何時(shí)開(kāi)始A14量產(chǎn)時(shí)程及其規格，但鑒于N2計劃于2025年末、N2P計劃于2026年末，因此可以合理猜測A14會(huì )在此之后2027-2028年間推出。

  但目前仍尚不清楚，臺積電是否會(huì )采用垂直堆疊互補場(chǎng)效應晶體管（CEFT）結構，或是沿用2nm制程將采用的環(huán)繞柵極場(chǎng)效應晶體管（GAAFET）。

  仍有待觀(guān)察的是，臺積電是否會(huì )在2027年至2028年期間為其A14工藝技術(shù)采用高數值孔徑EUV（High NA EUV）光刻機。

  鑒于彼時(shí)英特爾等將采用并完善數值孔徑為0.55的下一代EUV光刻機，芯片代工廠(chǎng)商應該更容易地使用它。然而，由于高數值孔徑EUV光刻機將掩模版尺寸減半，其使用將為芯片設計者和芯片制造商帶來(lái)一些額外的挑戰。