長(cháng)光華芯投資10億元建設先進(jìn)化合物半導體光電子平臺

  ICC訊 近日，蘇州長(cháng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)長(cháng)光華芯)宣布將投資10億元建設新型先進(jìn)化合物半導體光電子平臺，計劃建設總建筑面積約46,293平方米的生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動(dòng)力站及配套設施。此舉將提升公司的產(chǎn)品供應能力，進(jìn)一步鞏固和擴大公司的市場(chǎng)份額，有利于完善公司光電子產(chǎn)業(yè)鏈布局。

  據了解，蘇州高新區聚焦光子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈深度融合，以加速打造千億級光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新集群為目標，持續優(yōu)化光子產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新創(chuàng )業(yè)生態(tài)。

  為響應蘇州太湖光子中心建設推進(jìn)暨蘇州高新區產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新集群發(fā)展的號召，長(cháng)光華芯全資子公司“研究院”與蘇州科技城管理委員會(huì )簽訂了《蘇州科技城管理委員會(huì )與蘇州長(cháng)光華芯半導體激光創(chuàng )新研究院有限公司項目投資合作協(xié)議》。

  長(cháng)光華芯擬計劃根據項目進(jìn)程，合理分期投資自有資金及自籌資金10億元在太湖科學(xué)城建設先進(jìn)化合物半導體光電子平臺項目(包括生產(chǎn)中心、研發(fā)中心和動(dòng)力站及配套設施建設，設備采購及后期運營(yíng)等)。本項目將形成年產(chǎn)1億顆芯片、500萬(wàn)器件的能力，具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測器芯片的產(chǎn)線(xiàn)建設及器件封裝能力，具備其他高功率半導體激光器芯片等功率芯片研發(fā)、封測能力(包括 6-8 寸器件封測生產(chǎn)線(xiàn)建設)。

  項目計劃2023年開(kāi)工，2025 年建成投產(chǎn)，本項目預計年產(chǎn)值不低于6億元，年納稅額3410萬(wàn)元。

  本次投資的項目?jì)热萦欣谔嵘?A href="http://joq5k4q.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e9%95%bf%e5%85%89%e5%8d%8e%e8%8a%af&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">長(cháng)光華芯的產(chǎn)品供應能力，進(jìn)一步鞏固和擴大公司的市場(chǎng)份額。有利于完善公司光電子產(chǎn)業(yè)鏈布局，推動(dòng)公司與地方政府實(shí)現優(yōu)勢互補、互惠。

  長(cháng)光華芯擬進(jìn)行的項目建設將增加公司資本開(kāi)支和現金支出，但對公司長(cháng)期的業(yè)務(wù)布局和經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jì)具有積極影響，符合公司整體戰略發(fā)展規劃。