單管芯片集成首次實(shí)現光纖輸出功率超過(guò)4000瓦半導體激光器

　　Iccsz訊 蘇企自主研發(fā)高功率半導體芯片，在國際上首次利用單管芯片集成，實(shí)現光纖輸出功率超過(guò)4000瓦半導體激光器。

　　6月17日，2016年首批4個(gè)姑蘇領(lǐng)軍人才計劃重大創(chuàng )新團隊候選項目公示結束。來(lái)自蘇州高新區長(cháng)光華芯光電技術(shù)有限公司申報的“高功率半導體激光芯片及應用模塊、系統的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目榜上有名，其在“一粒米”大小的芯片上能發(fā)出超過(guò)10瓦的光的芯片研發(fā)，走到世界的前列。

　　在長(cháng)光華芯公司大廳里，展示著(zhù)擁有中國完全自主知識產(chǎn)權、達到國際先進(jìn)水平的“單管芯片”和“集成巴條”。“單管芯片”體積約一粒米大小，但要比米更細、更薄。“‘單管芯片’已經(jīng)很小了，但它的發(fā)光部分只占了‘單管芯片’的五分之一。也就是說(shuō)，這光就是從一條微縫隙中發(fā)出的，可超過(guò)10瓦。”

　　技術(shù)人員表示所展示的研發(fā)芯片，全工藝流程都是自主研發(fā)，擁有完全自主知識產(chǎn)權。

　　事實(shí)上，目前我國高功率半導體芯片大多要依賴(lài)進(jìn)口，而很多國家在對華出口高性能半導體芯片上多有限制。“世界正進(jìn)入‘光制造時(shí)代’，高能激光技術(shù)也正在引領(lǐng)制造業(yè)革命。當前國際半導體激光器技術(shù)發(fā)展的趨勢是要同時(shí)獲得高功率、高亮度、高效率、高可靠性。難點(diǎn)在提高多芯片的指向一致性、降低發(fā)散角、控制芯片內部應力、提高芯片偏振度及合束效率。”長(cháng)光華芯公司負責人說(shuō)。

　　長(cháng)光華芯團隊的創(chuàng )新，就在于在國際上首次使用自主創(chuàng )新的分布式載流子注入技術(shù)，解決半導體激光器在高功率工作條件下的非線(xiàn)性效應問(wèn)題，提升輸出功率，達到國際領(lǐng)先水平;在國際上首次利用單管芯片集成實(shí)現光纖輸出功率超過(guò)4000瓦半導體激光器，實(shí)現多達560個(gè)分離單管芯片的合束耦合進(jìn)400微米光纖中。而這樣的成果，從芯片設計、外延生長(cháng)、器件封裝、模塊、光纖耦合模塊及系統，全工藝流程都是自主研發(fā)，擁有完全自主知識產(chǎn)權。該團隊還先后承擔了國家863、973、04等國家重大專(zhuān)項。

　　該團隊還將芯片技術(shù)運用在切割與焊接上，其研發(fā)的半導體激光器切割機床獲得2015年中國激光行業(yè)技術(shù)創(chuàng )新獎，將半導體激光器切割技術(shù)做到了全國第一。“過(guò)去的氣體激光器焊接，體積要像一間房子那么大;運用我們的高功率半導體激光芯片做成的焊接器，大小就像一個(gè)小冰箱。并且，我們的激光焊接點(diǎn)是平頂的、溫度是一致的，在焊接中具有無(wú)與倫比的優(yōu)勢。”