長(cháng)飛：超低衰減大有效面積新型單模光纖

　　ICCSZ訊  目前，中國陸地干線(xiàn)網(wǎng)主要以普通G.652.D光纖為主，而上世紀90年代鋪設的光纜已經(jīng)達到預期20-25年的使用壽命，所以今后幾年將逐步面臨著(zhù)對主干網(wǎng)絡(luò )進(jìn)行升級換代的要求。

　　因此，如何為長(cháng)距離陸地干線(xiàn)光纜選擇合適的光纖，對于網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商和光通信公司來(lái)說(shuō)都是一個(gè)亟須解決的問(wèn)題。為了獲得最佳的系統性能，如果將超低衰減和大有效面積的特性融合到一根光纖中去，這種光纖將會(huì )是下一代通信光纖中最完美的光纖。

　　超低衰減系數

　　長(cháng)飛公司的超低衰減大有效面積光纖(遠貝®超強)能夠滿(mǎn)足甚至優(yōu)于現有最嚴格的G.654.E標準建議。

　　和傳統的摻氟外包層結構的超低衰減大有效面積光纖相比，長(cháng)飛采用純二氧化硅(SiO2)作為光纖的外包層，由于減少了氟摻雜材料的使用量，無(wú)論從材料制備成本，制備技術(shù)難度以及環(huán)保等角度，長(cháng)飛的超低衰減大有效面積光纖產(chǎn)品在成本上更具有競爭力。無(wú)論從理論還是實(shí)際角度，更低的衰減可以減少中繼站的數量并降低長(cháng)距離通信網(wǎng)絡(luò )的維護成本，因此不斷地降低光纖衰減系數是光纖研發(fā)的長(cháng)期目標。對于光纖研發(fā)和制造企業(yè)，如果可以在理論上，對衰減組成的各個(gè)部分進(jìn)行定性和定量的分析，就可以有效地幫助企業(yè)找到降低衰減的最優(yōu)途徑，在實(shí)際工作中指導企業(yè)的工作方向。

　　大有效面積

　　長(cháng)飛公司正在研發(fā)第二代超低衰減光纖技術(shù)，并已經(jīng)取得關(guān)鍵性突破，其有效面積將更大，典型衰減值也將更低。

　　選擇超低衰減大有效面積光纖作為下一代長(cháng)距離通信用光纖，光纖的熔接性能是一個(gè)非常關(guān)鍵的參數。G.654光纖的熔接可以分為兩方面。第一是G.654光纖的自熔損耗。第二是其與現網(wǎng)中大量使用的G.652.D光纖互熔時(shí)的損耗。

　　影響熔接損耗的因素有很多，但模場(chǎng)直徑失配是最關(guān)鍵的因素。有效面積為110μm2的超低衰減大有效面積光纖和標準G.652光纖的典型熔接損耗值明顯低于有效面積為130μm2的大有效面積光纖同標準G.652光纖的典型熔接損耗值。一般認為，光纖接頭熱熔損耗必須小于等于0.08dB，而有效面積為130μm2的光纖同標準G.652熔接時(shí)，熔接損耗明顯大于0.08dB。這也是我們選擇110μm2作為下一代通信光纖最優(yōu)有效面積的主要原因。

　　需要注意的是，在現網(wǎng)部署中需要對光纖進(jìn)行熔接的情況有兩種。第一個(gè)就是光纜與光纜之間的熔接，這部分主要是同種光纖的互熔，不可能出現較大的模場(chǎng)直徑失配。第二種就是光纜與各種有源和無(wú)源設備之間的連接，對于這種情況可以通過(guò)把設備跳線(xiàn)換為G.654光纖跳線(xiàn)的方法，避免模場(chǎng)直徑失配，所有在實(shí)際部署中G.654光纖同G.652光纖的熔接接頭數量非常少，不會(huì )影響整體鏈路衰減。

　　長(cháng)飛測試并比較了有效面積為110μm2的超低衰減大有效面積光纖自熔損耗和標準G.652.D光纖的自熔損耗。相對于傳統的G.652單模光纖，由于有效面積相對較大可以減少模場(chǎng)直徑失配的影響，有效面積為110μm2的超低衰減光纖的自熔接損耗低于標準G.652.D光纖，典型值在0.15dB左右?？紤]到長(cháng)距離通信網(wǎng)絡(luò )中的大部分熔接為同一種光纖的自熔接，因此使用超低衰減大有效面積光纖作為下一代通信光纖可以顯著(zhù)地減小因熔接損耗造成鏈路損耗增加。

　　優(yōu)異宏彎性能

　　另一個(gè)影響大有效面積光纖在陸地使用的因素是陸地纜的安裝和應用環(huán)境比海纜更復雜，經(jīng)常需要經(jīng)過(guò)一些轉角或需要在分線(xiàn)盒內留有余長(cháng)盤(pán)纖，因此必須保證陸地干線(xiàn)光纖比海纜光纖有更好的抗宏觀(guān)彎曲性能。

　　影響宏彎的主要因素是光纖的剖面設計。輔助下陷內包層結構是彎曲不敏感G.657光纖所使用的主要設計方案，而在長(cháng)飛的超低衰減大有效面積光纖設計中，使用類(lèi)似的結構，將下陷內包層的體積優(yōu)化至一個(gè)合理的值來(lái)獲得更好的抗彎曲性能。長(cháng)飛的超低衰減大有效面積光纖較標準G.652.D單模光纖有著(zhù)更優(yōu)異的抗彎曲性能，完全滿(mǎn)足并優(yōu)于G.657.A1標準，從而滿(mǎn)足陸地干線(xiàn)實(shí)際部署中各種復雜苛刻環(huán)境的要求。

　　抗微彎性能

　　目前對大有效面積光纖在陸地使用的最大擔心就是微彎性能。微彎是影響成纜設計和成纜過(guò)程的重要因素，優(yōu)異的微彎性能可以減小成纜設計和成纜過(guò)程的難度，并且可以改進(jìn)光纜在不同應用條件下，尤其是極端環(huán)境中的性能穩定性。但目前主流的增大光纖有效面積的方法是增加芯層直徑或降低芯層相對折射率，這兩種設計都會(huì )對光纖的微彎帶來(lái)負面影響。對于長(cháng)飛公司的超低衰減大有效面積光纖，通過(guò)特殊優(yōu)化設計的下陷內包層結構，并結合特殊的光纖涂覆工藝，有效地降低了超低衰減大有效面積光纖的微彎損耗。

　　陸地干線(xiàn)通信最優(yōu)選

　　由于陸地干線(xiàn)光纜的使用環(huán)境較海洋光纜使用環(huán)境更為復雜苛刻，陸地纜需要在經(jīng)歷更劇烈的溫度變化的條件下仍然保持鏈路損耗的穩定性。為了進(jìn)一步驗證長(cháng)飛光纖在成纜后的性能，長(cháng)飛進(jìn)行相關(guān)成纜實(shí)驗。在相關(guān)標準匯總，通常使用光纜溫度循環(huán)測試來(lái)檢測衰減隨溫度的變化。在實(shí)驗中，我們將12芯超低衰減大有效面積(110μm2)光纖置于一個(gè)GYTA的光纜管內進(jìn)行TCT實(shí)驗。

圖1.光纖衰減隨溫度的變化：12個(gè)顏色代表12芯光纖的衰減變化

　　由可以發(fā)現，當溫度在-40℃-70℃的范圍內變化時(shí)，我們的超低衰減大有效面積(110μm2)光纜的衰減變化小于0.01dB/km，遠遠優(yōu)于IEC和ITU-T標準規定的0.05dB/km。

圖2.在同一套管中的12芯光纖在成纜過(guò)程中的光纖衰減伴隨成纜工藝流程的變化

　　圖2為長(cháng)飛超低衰減大有效面積光纖在成纜各個(gè)工序中衰減的變化。實(shí)驗可以發(fā)現，由于長(cháng)飛的光纖擁有優(yōu)異的宏彎和微彎性能，成纜后光纖在1550nm波長(cháng)處的衰減值較成纜前光纖原有衰減在同一水平，甚至更低。因此，長(cháng)飛的超低衰減大有效面積光纖增加了光纜設計的靈活性，且成纜過(guò)程不需要其他特殊工藝控制，減少了成纜的時(shí)間和成本。

　　長(cháng)飛超低衰減大有效面積光纖具有超低的衰減系數、較大的有效面積、優(yōu)異的宏彎和微彎性能及良好的成纜適應性，并且可以兼容現有的G.652光纖，是下一代400G和超400G陸地干線(xiàn)通信系統的最優(yōu)選擇。