5G基站射頻集成度提高,價(jià)格有提升趨勢:工信部6月正式發(fā)布我國5G系統頻率使用征求意見(jiàn)方案,規劃將3.3GHz-3.6GHz、4.8GHz-5.0GHz,以及24.75GHz-27.5GHz、37GHz-42.5GHz應用于5G,毫米波頻段計劃用于5G超出市場(chǎng)預期。在5G基站中,傳統BBU與RRU分離模式逐漸演變?yōu)樯漕l模塊與天線(xiàn)的融合?;旌喜ㄊx形的架極預計會(huì )成為5G基站天線(xiàn)射頻系統的主流架極趨勢,射頻器件的使用數量大幅增加,為滿(mǎn)足體積需求,射頻系統集成度將會(huì )更高,整體價(jià)格有大幅提升趨勢。
毫米波天線(xiàn)射頻設計制造壁壘高,需大量技術(shù)積累:毫米波陣列天線(xiàn)相較于低頻段的陣列天線(xiàn)具備體積小型化、重量輕量化、寬帶化、固態(tài)化和集成化等特點(diǎn),另外用于民用移動(dòng)通信還需考慮規?;慨a(chǎn)和低成本等一系列問(wèn)題,廠(chǎng)商需要大量技術(shù)積累,具體體現在平面天線(xiàn)設計和工藝要求高、大量器件需要芯片集成、傳統PA芯片半導體材料不適應高頻、傳統微波傳輸線(xiàn)不適應需求以及測量測試復雜等多種方面。我們估算在中性條件下,我國5G毫米波頻段基站射頻系統的市場(chǎng)規模2019年為24億元,2020年為72億元,2021年達到120億元。
毫米波頻段射頻器件主要技術(shù)工藝趨勢:由于傳統波導結極和微帶線(xiàn)、帶狀線(xiàn)等微波傳輸媒介不滿(mǎn)足體積、損耗、性能和集成度等方面的需求,基片集成波導(SIW)作為一種新型的導波結極有希望在5G毫米波射頻系統中廣泛應用。MEMS射頻器件有望在5G毫米波需求下快速增長(cháng),據Yole Development預計,RF MEMS市場(chǎng)2017年-2022年全球市場(chǎng)規模年復合增長(cháng)率為35%,顯著(zhù)高于同期MEMS市場(chǎng)的年復合8.9%的增速?;衔锇雽w包括氮化鎵(GaN)和砷化鎵(GaAs)在5G毫米波高頻段射頻系統中具備廣闊的應用前景, 2010年全球GaN射頻器件市場(chǎng)規模僅6300萬(wàn)美元,2019年5G將推動(dòng)行業(yè)快速增長(cháng),預計2020年將達到約6.2億美元。毫米波射頻開(kāi)關(guān)等器件可選擇鐵氧體材料或者PIN事極管來(lái)搭建,鐵氧體開(kāi)關(guān)在揑損、功率容量和可靠性方面具有明顯優(yōu)勢,已在雷達系統廣泛應用,具備廣泛應用于5G毫米波器件的潛力。
平安證券 汪敏