格羅方徳公布新硅光子學(xué)路線(xiàn)圖 滿(mǎn)足未來(lái)數據中心連接需求

  Iccsz訊 近日，位于美國加州的格羅方徳(GlobalFoundries)公司透露了其硅光子學(xué)路線(xiàn)圖的新細節，以實(shí)現下一代數據中心和云的光互連應用。該公司首套使用300mm晶圓的90nm制造工藝已經(jīng)經(jīng)過(guò)認定，同時(shí)還即將推出45nm工藝技術(shù)，以提供更高的帶寬和能源效率。通過(guò)GlobalFoundries的硅光子技術(shù)能夠支持傳輸數據的大幅增長(cháng)對全球通信基礎設施提出的更高需求。

  格羅方徳的硅光子技術(shù)

  GlobalFoundries的硅光子技術(shù)能夠將光學(xué)元件與電路并排集成在單個(gè)硅芯片上。這種單片方法能夠利用標準硅制造技術(shù)來(lái)提高生產(chǎn)效率并降低部署光互連系統的成本。

  GlobalFoundries的銷(xiāo)售和ASIC業(yè)務(wù)部門(mén)高級副總裁Mike Cadigan說(shuō)：“數據對帶寬的急劇需求推動(dòng)了對新一代光互連的需求，我們的硅光子技術(shù)能夠為客戶(hù)提供前所未有的連接性能來(lái)傳輸海量數據，無(wú)論是在數據中心內的芯片之間，還是跨越數百甚至數千英里的云服務(wù)器之間。結合我們先進(jìn)的ASIC和封裝能力，這些技術(shù)能夠讓我們?yōu)檫@個(gè)市場(chǎng)提供高度差異化的解決方案?！?

  GlobalFoundries的硅光子產(chǎn)品利用其在制造高性能射頻芯片方面的經(jīng)驗，采用90nm RF絕緣體上硅(SOI)工藝制造。該平臺能夠提供30GHz帶寬的解決方案，支持高達800Gbps的客戶(hù)端數據速率以及長(cháng)達120km的長(cháng)距離互連。

  射頻SOI工藝向300mm晶圓轉移

  該工藝技術(shù)以前使用200mm晶圓加工生產(chǎn)，現已在紐約East Fishkill的GlobalFoundries Fab 10工廠(chǎng)的300mm晶圓上獲得認證。向300mm晶圓的遷移使得客戶(hù)能力提高，制造生產(chǎn)力提高，光子損耗降低2倍，從而提高覆蓋范圍，實(shí)現更高效的光學(xué)系統。

  90納米技術(shù)由Cadence Design Systems提供完整的工藝設計套件(PDK)，包括的E/O/E協(xié)同設計、偏振、溫度和波長(cháng)參數以及差分光子測試功能，包括從技術(shù)驗證到建模的五個(gè)測試部分，到多芯片模塊(MCM)產(chǎn)品測試等。

  45nm射頻SOI技術(shù)即將量產(chǎn)

  GlobalFoundries的下一代單片硅光子產(chǎn)品將采用45nm射頻SOI工藝制造，預計2019年投產(chǎn)。通過(guò)利用更先進(jìn)的45納米節點(diǎn)，該技術(shù)將實(shí)現功耗降低、尺寸更小、光帶寬度更高的光收發(fā)器產(chǎn)品，來(lái)解決下一代太比特應用。

  其45nm射頻硅SOI技術(shù)平臺已通過(guò)驗證并準備就緒在美國紐約州East Fishkill的300mm生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行批量生產(chǎn)。目前有多家客戶(hù)參與了先進(jìn)RF SOI工藝，該工藝針對5G毫米波(mmWave)前端模塊(FEM)應用，包括未來(lái)的智能手機和下一代毫米波波束成形系統。

  該公司的45RFSOI平臺針對波束形成FEM進(jìn)行了優(yōu)化，其特點(diǎn)是通過(guò)結合高頻晶體管、高電阻率SOI襯底和超厚銅布線(xiàn)來(lái)提高射頻性能。此外，SOI技術(shù)可輕松集成功率放大器、開(kāi)關(guān)、低噪聲放大器(LNA)、移相器、上/下變頻器和壓控振蕩器(VCO)/鎖相環(huán)(PLL)，從而降低成本、尺寸和功耗，以用于未來(lái)每秒數千兆比特通信系統，包括互聯(lián)網(wǎng)寬帶衛星、智能手機和5G基礎設施等。