華為哈勃投資碳化硅公司天域半導體

  ICC訊 7 月 1 日，東莞市天域半導體科技有限公司發(fā)生工商變更，新增股東華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資合伙企業(yè) (有限合伙)，同時(shí)公司注冊資本由約 9027 萬(wàn)元人民幣增至約 9770 萬(wàn)元人民幣，增幅超 8%。

  企查查信息顯示，該公司成立于 2009 年，法定代表人為李錫光，經(jīng)營(yíng)范圍包含：研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售：碳化硅外延晶片，半導體材料及器件等。

  據悉，東莞市天域半導體科技有限公司位于廣東省東莞市松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)園區，是我國首家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導體碳化硅 (SiC) 外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。2010 年，天域半導體與中國科學(xué)院半導體所合作成立了“碳化硅技術(shù)研究院”，組成了一支國內頂尖的技術(shù)創(chuàng )新團隊。

  據了解，經(jīng)過(guò)半個(gè)多世紀的發(fā)展，基于硅材料的功率半導體器件的性能已經(jīng)接近其物理極限。因此，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開(kāi)始受到重視。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開(kāi)始，正在逐漸進(jìn)入第三代半導體時(shí)代。