將首發(fā)供應DDR4：國產(chǎn)17nm內存芯片良率或達40%

  ICC訊 今年合肥長(cháng)鑫將推出下一代17nm工藝內存芯片，首發(fā)產(chǎn)品是DDR4。

  來(lái)自大摩的分析稱(chēng)，合肥長(cháng)鑫的17nm工藝DRAM芯片良率已經(jīng)達到了40%，預計Q2季度就會(huì )給客戶(hù)供應產(chǎn)品，其成本相比臺系廠(chǎng)商的20nm、25nm工藝內存更有優(yōu)勢。至于生產(chǎn)方面，大摩稱(chēng)合肥長(cháng)鑫的產(chǎn)能今年會(huì )增加到8萬(wàn)片晶圓/月，并在北京新建工廠(chǎng)，量產(chǎn)17nm工藝內存芯片。

  此外，長(cháng)鑫還會(huì )研發(fā)7nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內存，再下一代的10G5工藝中，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。在2020年、2021年，長(cháng)鑫分別實(shí)現了4.5萬(wàn)片晶圓/月、6萬(wàn)片晶圓/月的目標，2022年的產(chǎn)能目標是12萬(wàn)片晶圓/月，未來(lái)的產(chǎn)能目標是30萬(wàn)片晶圓/月。