高速鍺硅雪崩光電二極管

  由于市場(chǎng)需求的爆發(fā)式增長(cháng)，數據中心和高性能計算的高速光互連已成為光通信領(lǐng)域的快速發(fā)展方向。為實(shí)現更高的帶寬和集成度，高增益帶寬的雪崩光電二極管(APD)受到廣泛關(guān)注。碰撞電離系數比作為雪崩光電二極管優(yōu)化的關(guān)鍵參數之一，顯著(zhù)影響過(guò)量噪聲和增益帶寬積。由于硅的低碰撞電離系數比、結構簡(jiǎn)單、兼容CMOS工藝等優(yōu)點(diǎn)，鍺硅雪崩光電二極管的發(fā)展前景十分廣闊。鍺硅雪崩光電二極管通常采用吸收、電荷和倍增層分離的結構來(lái)實(shí)現高帶寬和低噪聲。中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所的王斌浩研究員等人回顧總結了高速鍺硅雪崩光電二極管工作的近期進(jìn)展。該綜述論文于2022年3月以High-speed Si-Ge avalanche photodiodes為題發(fā)表在 PhotoniX 上。

  研究背景

  具有內部增益的雪崩光電二極管可以顯著(zhù)提高接收機的靈敏度，從而放寬光器件和電芯片的帶寬要求以及鏈路和功率預算。雪崩效應不僅會(huì )導致倍增增益，還會(huì )產(chǎn)生過(guò)量噪聲。雪崩光電二極管的優(yōu)勢很大程度上取決于它們是否具有足夠高的增益帶寬，這與過(guò)量噪聲緊密相關(guān)。而過(guò)量噪聲因子又與碰撞電離系數比緊密相關(guān)。因此，如何設計具有低碰撞電離系數比的雪崩光電二極管至關(guān)重要?；贗II-V族材料的雪崩光電二極管已經(jīng)研究了幾十年。為實(shí)現高性能的雪崩光電二極管，一種方法是選擇低碰撞電離系數比的半導體材料。另一種方法是利用異質(zhì)結構進(jìn)行碰撞電離工程優(yōu)化。盡管III-V族雪崩光電二極管可以靈活選擇外延材料，但高性能III-V族雪崩光電二極管需要復雜的異質(zhì)結構并且缺乏與其他光子器件集成的能力。與大多數III-V族雪崩光電二極管相比，由于硅材料極低的碰撞電離系數比，鍺硅雪崩光電二極管具有更簡(jiǎn)單的結構和更低的噪聲，從而能夠獲得更高的增益帶寬。

  技術(shù)突破

  為了利用鍺的高吸收系數和硅的低碰撞電離系數比(k)，分離吸收、電荷、倍增 (SACM)結構常用于鍺硅雪崩光電二極管的設計，在鍺中維持低電場(chǎng)以滿(mǎn)足其低于碰撞電離閾值的要求，高電場(chǎng)被限制在硅中以觸發(fā)其電離效應。該設計在增益帶寬積和過(guò)量噪聲方面表現出卓越的性能。如圖 1所示，英特爾的研究人員提出了一種具有 p+-i-p-i-n+ 層結構的垂直入射鍺硅雪崩光電二極管。圖中也給出了該結構的各層厚度和摻雜濃度。對于30微米直徑的器件，測到的最大帶寬為 11.5GHz。類(lèi)似于p-i-n結構的光電二極管，雪崩光電二極管的帶寬同樣受到RC時(shí)間常數和載流子渡越時(shí)間的限制，只是雪崩光電二極管的耗盡區包括了耗盡的鍺吸收層以及硅電荷層和倍增層。由于分離吸收電荷倍增結構的設計，該雪崩光電二極管實(shí)現了0.09的有效k值和340GHz的增益帶寬積。

圖1 垂直入射鍺硅雪崩光電二極管示意圖

  波導耦合鍺硅雪崩光電二極管已被證明在帶寬、暗電流和噪聲方面具有出色的性能。與垂直入射鍺硅雪崩光電二極管相比，波導耦合鍺硅雪崩光電二極管的主要優(yōu)勢在于光傳播和載流子收集路徑的彼此正交。更重要的是，波導耦合鍺硅雪崩光電二極管更適合大規模光子集成電路，硅波導中的入射光倏逝耦合到鍺中被吸收。波導光電二極管的光倏逝耦合方案包括自上而下、自下而上、側面耦合和對接耦合。自下而上耦合因為兼容CMOS工藝和結構簡(jiǎn)單，是波導耦合雪崩光電二極管最常見(jiàn)的耦合方式。如圖2所示，惠普實(shí)驗室的研究人員提出了一種采用自下而上耦合方案的波導耦合鍺硅雪崩光電二極管。與圖1中提出的 p+-i-p-i-n+ SACM結構不同，該設計采用更薄層厚度的 p+-p-i-n+ 結構來(lái)降低擊穿電壓并實(shí)現高帶寬和低噪聲。通過(guò)優(yōu)化SACM結構，該設計實(shí)現了25GHz的最大帶寬和276 GHz的增益帶寬積。

圖2 波導耦合鍺硅雪崩光電二極管示意圖

  觀(guān)點(diǎn)評述

  隨著(zhù)光互連技術(shù)向更高帶寬、更高集成度、更低功耗和更低成本的方向發(fā)展，集成更高靈敏度雪崩光電二極管的接收機是必不可少的。具有內部增益和低噪聲的鍺硅雪崩光電二極管可以大大放寬鏈路預算和功率預算的要求，以實(shí)現更高的帶寬密度。雪崩光電二極管設計的重要性能指標包括擊穿電壓、暗電流、量子效率、倍增增益、電帶寬、過(guò)量噪聲和增益帶寬積。設計具有低有效碰撞電離系數比的雪崩光電二極管對于實(shí)現高增益帶寬積和低噪聲至關(guān)重要。但是，在優(yōu)化過(guò)程中會(huì )出現一些設計權衡，這需要針對不同應用進(jìn)行器件優(yōu)化。如何打破這些權衡是未來(lái)雪崩光電二極管性能提升的一個(gè)方向。雪崩光電二極管的設計還需要考慮器件制造的復雜性和容差。為了優(yōu)化基于雪崩光電二極管接收機的靈敏度，必須考慮收發(fā)機系統的整體噪聲。對于高速光互連應用，不需要設計具有極高增益的雪崩光電二極管，因為在大多數情況下，倍增增益小于 20 即可實(shí)現雪崩光電二極管接收機的最佳靈敏度。

  主要作者

  王斌浩，中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所研究員，博士生導師

  獲浙江大學(xué)信息工程學(xué)士和光學(xué)工程碩士學(xué)位，美國德克薩斯農工大學(xué)電氣工程博士學(xué)位。曾在美國硅谷惠普實(shí)驗室任職博士后和研究員。從事面向高速光互連的半導體激光器和硅基光電子芯片的教學(xué)及科研工作。在OFC、ISSCC、Optica、JSSC等國際會(huì )議和主流期刊發(fā)表論文50余篇，擁有授權美國發(fā)明專(zhuān)利3項。

  論文鏈接：https://photonix.springeropen.com/articles/10.1186/s43074-022-00052-6