三星攜手美企改善3納米良率 希望趕超臺積電

  ICC訊  據報道，三星已經(jīng)與美國的 Silicon Frontline Technology 公司合作，以提高其半導體芯片在生產(chǎn)過(guò)程中的良率，以便于在 3 納米工藝上趕超臺積電。

  報道中稱(chēng)，三星電子先進(jìn)制程良率非常低，自 5 納米制程開(kāi)始一直存在良率問(wèn)題，在 4 納米和 3 納米工藝上情況變得更加糟糕。據傳三星 3 納米解決方案制程自量產(chǎn)以來(lái)，良率不超過(guò) 20%，量產(chǎn)進(jìn)度陷入瓶頸。

  三星目前在 4 納米和 5 納米工藝節點(diǎn)上出現了與產(chǎn)量有關(guān)的問(wèn)題，該公司不希望這個(gè)問(wèn)題再次出現在 3 納米工藝上。因此希望通過(guò)和 Silicon Frontline Technology 公司合作，幫助三星晶圓廠(chǎng)進(jìn)行前端(front-end)工藝和芯片性能改進(jìn)。

  IT之家了解到，這家美國公司提供芯片鑒定評估和 ESD(靜電放電)預防技術(shù)。ESD 是造成半導體芯片缺陷的主要原因之一，是由制造過(guò)程中設備和金屬之間的摩擦造成的。據報道，三星在芯片設計和生產(chǎn)過(guò)程中已經(jīng)與 Silicon Frontline 公司合作了很長(cháng)時(shí)間，并取得了令人滿(mǎn)意的結果。該公司現在將在芯片驗證過(guò)程中使用該公司的技術(shù)。