2023光電子技術(shù)高峰論壇｜分論壇一《通信光電子芯片與器件》圓滿(mǎn)舉辦

  ICC訊    5月15日，由海思光電有限公司主辦，訊石信息咨詢(xún)承辦的2023光電子技術(shù)高峰論壇在武漢成功舉辦，本次大會(huì )匯聚了400多位光電子領(lǐng)域專(zhuān)業(yè)人士，共同探討光電技術(shù)的演進(jìn)趨勢，探索光聯(lián)接和光感知的新機遇。其中，“通信光電子芯片與器件” 分論壇圍繞高性能光/電芯片的技術(shù)演進(jìn)趨勢展開(kāi)討論，探索高速光/電芯片的技術(shù)實(shí)現和產(chǎn)業(yè)趨勢，來(lái)自飛思靈、Lumentum、華中科技大學(xué)、傲科光電和中科院半導體研究所等機構的技術(shù)專(zhuān)家及學(xué)者進(jìn)行了深度的分析與探討。

  曹權 武漢飛思靈光電產(chǎn)品線(xiàn)技術(shù)總監

  武漢飛思靈光電產(chǎn)品線(xiàn)技術(shù)總監曹權發(fā)表《下一代高速相干光電芯片和器件的發(fā)展趨勢和展望》報告，高速相干光技術(shù)具有更長(cháng)的傳輸距離、更高的單纖容量以及高靈敏度的特點(diǎn)，被廣泛地應用在長(cháng)途傳輸應用場(chǎng)景。當前200G光模塊已經(jīng)批量應用，400G QPSK是未來(lái)幾年的應用熱點(diǎn)。相干光器件面臨的主要挑戰包括超高帶寬、超寬波長(cháng)范圍和低成本，混合材料平臺、智慧化設計與先進(jìn)封裝架構是相干光器件發(fā)展的新趨勢。

  馬廣鵬 Lumentum傳送產(chǎn)品線(xiàn)應用工程總監

  Lumentum傳送產(chǎn)品線(xiàn)應用工程總監馬廣鵬發(fā)表 《窄線(xiàn)寬光源的趨勢和技術(shù)演進(jìn)》報告，從驅動(dòng)力、可調原理、實(shí)現方法和發(fā)展趨勢等四個(gè)方面展開(kāi)探討。帶寬的持續增長(cháng)是可調光源發(fā)展的主要驅動(dòng)力，密集波分從剛開(kāi)始4/8/16波發(fā)展到后面的32/40/48/96以及現有的120波，加上高速相干應用的引入和基于ROADM的業(yè)務(wù)調度需求，快速可調窄線(xiàn)寬可調光源必不可少。

  夏金松 華中科技大學(xué)教授

  華中科技大學(xué)夏金松教授發(fā)表《薄膜鈮酸鋰光子集成的進(jìn)展》報告，薄膜鈮酸鋰光子集成芯片是實(shí)現高性能芯片自主可控的重要機遇。薄膜PPLN波導在A(yíng)OWC應用的優(yōu)勢，包括小尺寸、超大光學(xué)帶寬和低噪聲系數等。而薄膜PPLN面臨的挑戰，主要是如何實(shí)現低成本的大規模制備工藝，尤其是采用DUV光刻制備LNOI光器件。

  曹建光 傲科光電市場(chǎng)發(fā)展總監

  傲科光電市場(chǎng)發(fā)展總監曹建光發(fā)表《128GB相干光通信關(guān)鍵技術(shù)》報告，伴隨著(zhù)DCI應用和高速相干模塊的發(fā)展，相干技術(shù)成為應用場(chǎng)景更為廣闊的技術(shù)選擇?；谙喔杉夹g(shù)的通信鏈路具有高靈敏度、色散不受限、更長(cháng)傳輸距離的優(yōu)點(diǎn)。針對800G的應用，TFLN具有低插損和帶寬大的優(yōu)勢，但同時(shí)也面臨不能集成PD和不能收發(fā)集成等挑戰。

  李明團隊謝毓俊博士 中科院半導體研究所

  中科院半導體所研究員李明團隊 謝毓俊博士發(fā)表《高速光通信器件建模及光電系統仿真應用》報告，重點(diǎn)介紹了多種光子器件的多種模型建模仿真等，包括MZM、Ge/Si PD以及光柵耦合器等。

  甘甫烷 中科院上海微系統所研究員

  中科院上海微系統所研究員 甘甫烷發(fā)表《硅基光調制器發(fā)展研究》報告，如今蓬勃發(fā)展的數據需求使高度集成的光電芯片進(jìn)入前所未有的發(fā)展舞臺。硅基光子技術(shù)是可以大規模實(shí)現光子集成的一個(gè)優(yōu)良技術(shù)平臺，能提供高帶寬、低功耗、小尺寸的硅基調制技術(shù)，可以適用于單波長(cháng)200Gbps技術(shù)、共封裝光學(xué)（CPO）、以及近期產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)可插拔線(xiàn)性驅動(dòng)應用（LPO）。

  祁楠團隊李樂(lè )良博士 中國科學(xué)院半導體研究所

  中科院半導體所研究員祁楠團隊 李樂(lè )良博士發(fā)表《CMOS工藝兼容的硅基光電集成互連芯片設計》報告，光互連芯片應用前景明朗，網(wǎng)絡(luò )芯片光接口和計算芯片光接口新型應用為光互連芯片帶來(lái)更大的應用空間?；贑MOS工藝的光電集成互連芯片可實(shí)現高帶寬密度、高能耗效率。芯片光接口開(kāi)展光電融合集成芯片研究，可以形成從芯片-器件-系統的完整光電融合理論體系，突破光路與電路的協(xié)同設計技術(shù)。

  畢曉君 華中科技大學(xué)教授

  華中科技大學(xué)畢曉君教授發(fā)表《高性能硅基高速電芯片》報告，當前業(yè)界聚焦快響應TIA/CDR和高波特率TIA/Driver，包括高動(dòng)態(tài)范圍TIA和突發(fā)模式PAM4 CDR。當前高速電路的帶寬已經(jīng)接近硅晶體管支撐的極限, 為立足現有工藝水平，提高電路速率，驅動(dòng)放大器提出分布式基極反饋線(xiàn)性化結構，在維持低諧波失真的同時(shí)大幅提高增益帶寬積，可將驅動(dòng)放大器的速率從業(yè)界最高的64 GBaud大幅提高至130 GBaud。

  總 結

  眾所周知，決定光模塊性能關(guān)鍵在于底層的光/電芯片。本次“通信光電子芯片與器件”分論壇重點(diǎn)討論了光電芯片的系統需求和技術(shù)研究熱點(diǎn)，展望了高性能光電芯片技術(shù)的未來(lái)演進(jìn)。