正源公司核心設備MOCVD投入使用，DFB激光器研發(fā)成功

 金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）是半導體材料外延生長(cháng)的重要技術(shù)，是目前廣泛采用的化合物半導體薄層單晶的先進(jìn)方法，特別在生長(cháng)量子阱和超晶格方面有較大優(yōu)勢，更因為這種生長(cháng)方法可以控制到納米量級，所以在高端、高速的光電器件，漸變單量子阱或多量子阱結構，光電集成器件以及“能帶工程”等領(lǐng)域的研制開(kāi)發(fā)上成為核心技術(shù)。
    正源公司為達到具有自主知識產(chǎn)權，具備技術(shù)核心競爭力的目標，引進(jìn)了英國Thomas Swan公司生產(chǎn)的用于InP、GaAs等三、五族材料系生長(cháng)的MOCVD。該設備投入使用對公司發(fā)展有重大意義，為公司產(chǎn)品的升級和以后高端產(chǎn)品的研發(fā)提供了條件，在高端激光器制作中真正實(shí)現了全程工藝鏈，為真正達到具有國內領(lǐng)先和國際競爭力的目標打下了基礎。
    目前管芯研發(fā)部在DFB高端激光器開(kāi)發(fā)上已取得成功，完成了RWG結構1310、1550nm DFB激光器的研制?，F階段選擇InGaAsP或AlGaInAs材料，采用折射率耦合結構的設計，利用全息光刻技術(shù)完成對布拉格光柵在波導層上的制作，二次外延利用MOCVD技術(shù)完成腐蝕停止層、InP層、1.3和1.5微米InGaAsP以及InGaAs高摻雜接觸層的生長(cháng)，生長(cháng)表面良好；在結構上運用常用直墻（VM）或反向梯形（RM）的結構設計；同時(shí)進(jìn)行了減少熱阻和串聯(lián)電阻的優(yōu)化，以平面圖形電極實(shí)現上述要求；根據測試結果，1310nm、1550nm波長(cháng)的DFB型RWG激光器部分指標均已達到目前國內外同類(lèi)產(chǎn)品的水平，在閾值到較大電流范圍內可以實(shí)現全程單模，鍍膜前單模成品率前達到50％以上。由于工藝條件比較穩定，DFB激光器將于9~10月開(kāi)始進(jìn)行批量生產(chǎn)。
    管芯研發(fā)部已計劃進(jìn)行DC-PBH結構DFB激光器、λ/4相移光柵DFB激光器、特殊設計減小SBH的CATV用DFB激光器、啁啾光柵DFB激光器以及增益耦合DFB激光器等項目研究，這些高端產(chǎn)品的研發(fā)將提高正源公司的技術(shù)水平和產(chǎn)品結構，將加快高科技和高利潤的結合，同時(shí)形成技術(shù)競爭優(yōu)勢。