低損耗集成光子延時(shí)芯片取得重大突破

  ICCSZ訊 近日，38所研制的低損耗片上集成光延時(shí)芯片取得重大進(jìn)展。項目經(jīng)過(guò)多輪理論設計及工藝優(yōu)化，現已完成了低損耗可調光延時(shí)模塊樣機研制。系統測試表明，延時(shí)模塊損耗小于4dB，可實(shí)現大于150ps的延時(shí)量，并通過(guò)熱光效應實(shí)現芯片在大帶寬范圍內延時(shí)量的精確可調。模塊樣機的損耗、延時(shí)量、延時(shí)帶寬等關(guān)鍵參數均達到國內領(lǐng)先水平，進(jìn)入工程化實(shí)用階段。

  集成光子延時(shí)芯片可以把多個(gè)分立器件集成在一個(gè)芯片上，有效解決一致性和可靠性問(wèn)題，對現有裝備的技術(shù)升級、新型相控陣雷達的研制以及下一代全光雷達的預研都具有重要意義。

  雷達系統由電向光的全面轉化是雷達發(fā)展的一個(gè)必然趨勢。傳統的相控陣雷達利用大量天線(xiàn)單元組成的相位陣面來(lái)合成波束實(shí)現雷達方向的掃描，每個(gè)天線(xiàn)單元都由獨立的移相開(kāi)關(guān)控制，但體積較大，工作帶寬有限。片上微波光子技術(shù)是其發(fā)展的一個(gè)革命性節點(diǎn)，通過(guò)在光子芯片中集成可調光延時(shí)線(xiàn)陣列，可控制不同延時(shí)線(xiàn)之間的相位差，實(shí)現雷達方向的掃描，是實(shí)現微波光子雷達的關(guān)鍵技術(shù)。