三星計劃2021年建成第三所綜合性半導體工廠(chǎng)

  ICC訊  據韓國媒體ETNEWS報道，三星電子計劃新建一家大型半導體工廠(chǎng)。鑒于面積比上一個(gè)增加了 50% 以上，因此，它采用“綜合半導體工廠(chǎng)”的形式，同時(shí)生產(chǎn) DRAM、NAND 閃存和其他器件，并有望引入最新的工藝技術(shù)。據悉，“P3”計劃于今年9月在平澤動(dòng)工，于2021年完成。

  ▲ 三星電子平澤工業(yè)區航空攝影 圖源：三星電子官網(wǎng)

  據了解，三星電子此前在平澤已有名為“P1”和“P2”的半導體工廠(chǎng)，其中“P2”于去年完工。

  據業(yè)內人士21日透露，三星電子正準備在平澤建設一所更大的的半導體工廠(chǎng)“P3”，預計今年9月動(dòng)工。目前三星電子對于該廠(chǎng)的建設已經(jīng)做了大量前期準備。

  目前三星最大的半導體工廠(chǎng)“P2”長(cháng)度為400米，據報道“P3”的長(cháng)度將達到700米?！癙3”預計將在明年8月前后完成，并在生產(chǎn)線(xiàn)調試完成后試生產(chǎn)，從2021年底開(kāi)始量產(chǎn)最新工藝的芯片，包括生產(chǎn)圖像傳感器、DRAM、NAND 和SoC處理器等半導體器件。

  報道稱(chēng)，三星電子的目標是在2030年成為非內存半導體市場(chǎng)的領(lǐng)頭者。