臺積電發(fā)表4、3納米制程進(jìn)展/3DFabric方案

  ICC訊 日前臺積公司首度舉辦線(xiàn)上技術(shù)論壇及開(kāi)放創(chuàng )新平臺(Open Innovation Platform, OIP)生態(tài)系統論壇，會(huì )中展示先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù)、三維積體電路(3DIC)系統整合解決方案、以及其設計實(shí)現生態(tài)系統的最新發(fā)展。新冠肺炎疫情期間，臺積公司采用線(xiàn)上論壇，與客戶(hù)及生態(tài)系統伙伴們維持連系，共計超過(guò) 5,000位注冊參與者。

日前臺積公司首度舉辦線(xiàn)上技術(shù)論壇及開(kāi)放創(chuàng )新平臺生態(tài)系統論壇圖片來(lái)源：臺積電

  臺積公司總裁魏哲家表示，全球社會(huì )面臨嚴峻考驗的時(shí)刻，人們仰賴(lài)科技來(lái)彼此溝通、互相打氣，客戶(hù)的創(chuàng )新設計讓整個(gè)世界變得更加智慧化、更具連結性，臺積公司致力于以最先進(jìn)的邏輯技術(shù)、連結實(shí)體與數位世界的特殊制程組合、先進(jìn)封裝技術(shù)、以及完備的系統整合解決方案來(lái)協(xié)助客戶(hù)釋放創(chuàng )新。

  論壇焦點(diǎn)包括：

  N5技術(shù)今年已進(jìn)入量產(chǎn)，隨著(zhù)產(chǎn)能持續拉升，良率提升的速度亦較前一世代快速。相較于前一世代的N7技術(shù)，N5速度增快15%、功耗降低30%、邏輯密度增加達80%。奠基于N5技術(shù)，臺積公司預計于2021年量產(chǎn)加強版的N5P制程，速度可再增快 5%，功耗再降低10%。

  此外，臺積公司揭示了5納米家族的最新成員——N4制程，N4進(jìn)一步提升效能、功耗、以及密度來(lái)滿(mǎn)足多樣化產(chǎn)品的需求，除了減少光罩層來(lái)簡(jiǎn)化制程，N4可借助5納米的設計生態(tài)系統，順利從N5升級，并預計于2021年第四季開(kāi)始試產(chǎn)，2022年進(jìn)入量產(chǎn)。

  展望下一世代技術(shù)，臺積公司N3制程開(kāi)發(fā)進(jìn)度符合預期，將成為全球先進(jìn)的邏輯技術(shù)。相較于N5技術(shù)，N3速度增快15%，功耗降低達30%，邏輯密度增加達70%。隨著(zhù)半導體架構的創(chuàng )新，臺積公司從5納米往前推進(jìn)了一個(gè)世代的制程。

  此外，N12e制程已進(jìn)入試產(chǎn)階段，能夠提供強大的運算效能與優(yōu)異的功耗效 率，支援人工智慧邊緣運算應用。N12e將臺積公司的FinFET電晶體技術(shù)導入邊緣裝置，藉由強化的超低漏電裝置與靜態(tài)隨機存取記憶體。相較于前一世代的22ULL技術(shù)，N12e的邏輯密度增加超過(guò)1.75倍，效能提升約1.5倍，功耗減少一半。做為12FFC+制程的加強版，N12e合應用于支援人工智慧的物聯(lián)網(wǎng)裝置，提供強大的功能執行力，例如，理解自然語(yǔ)言或影像分類(lèi)，同時(shí)提升功耗效率。N12e也能夠支援用電池供電的強大人工智慧物聯(lián)網(wǎng)裝置。

  臺積公司亦推出3DFabric，整合三維積體電路系統解決方案，透過(guò)穩固的晶片互連打造出良好的系統。藉由不同的選項進(jìn)行前段晶片堆疊與后段封裝，3DFabric協(xié)助客戶(hù)將多個(gè)邏輯晶片連結在一起，并串聯(lián)高頻寬記憶體(HBM)，或異質(zhì)小晶片，例如類(lèi)比、輸入/輸出、以及射頻模組。3DFabric能夠結合后段3D與前段3D技術(shù)的解決方案，提供系統整合中的乘數效應。同時(shí)，3DFabric能與電晶體微縮互補，持續提升系統效能與功能性，縮小尺寸外觀(guān)，并且加快 產(chǎn)品上市時(shí)程。3DFabric包含臺積公司的系統整合晶片(TSMC-SoICTM)技術(shù)、CoWoS技術(shù)、以及整合型扇出(InFO)技術(shù)。