2年后追上臺積電 三星計劃2022年量產(chǎn)3nm：首發(fā)GAA工藝

  ICC訊  在半導體晶圓代工上，臺積電一家獨大，從10nm之后開(kāi)始遙遙領(lǐng)先，然而三星的追趕一刻也沒(méi)放松，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計劃在2年內追上臺積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。

  從2019年開(kāi)始，三星啟動(dòng)了一個(gè)“半導體2030計劃”，希望在2030年之前投資133萬(wàn)億韓元，約合1160億美元稱(chēng)為全球最大的半導體公司，其中先進(jìn)邏輯工藝是重點(diǎn)之一，目標就是要追趕上臺積電。

  在最近的幾代工藝上，三星的量產(chǎn)進(jìn)度都落后于臺積電，包括10nm、7nm及5nm，不過(guò)5nm算是縮短了差距，今年也量產(chǎn)了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶(hù)的8nm、7nm訂單。

  但三星追趕臺積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因為這一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會(huì )使用GAA工藝。

  最新消息稱(chēng)，三星半導體業(yè)務(wù)部門(mén)的高管日前透露說(shuō)，三星計劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝，而臺積電的計劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝，如此一來(lái)三星兩年后就要趕超臺積電了。

  值得一提的是，臺積電也似乎感受到了三星的壓力，原本計劃2024年才推出2nm工藝，現在研發(fā)順利，2023年下半年就準確試產(chǎn)了。