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GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)有望在2027年達45億美元

摘要:全球范圍內5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長(cháng)前景。2020年,GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)規模為7億美元,預計2021年至2027年的復合年增長(cháng)率將超過(guò)30%。

  ICC訊 全球范圍內5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導體制造商提供新的增長(cháng)前景。2020年,GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)規模為7億美元,預計2021年至2027年的復合年增長(cháng)率將超過(guò)30%。

  根據進(jìn)行的一項研究,新型材料半導體的特點(diǎn)是尺寸小且功率密度高,Global Market Insights預計,到2027年,GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)將超過(guò)45億美元。

  近年來(lái),全球電信運營(yíng)商不斷擴大通訊領(lǐng)域的基礎設施建設,也為GaN和SiC功率半導體提供了廣闊的應用場(chǎng)景,比如在智能電網(wǎng)和工業(yè)電機驅動(dòng)領(lǐng)域,新型材料的功率半導體需求將呈旺盛態(tài)勢。

  汽車(chē)應用中對SiC的需求增加將推動(dòng)GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)的擴張

  到2020年,SiC細分市場(chǎng)將占據50%的市場(chǎng)份額,并且由于電動(dòng)汽車(chē)和航空航天領(lǐng)域對SiC功率器件的需求不斷增長(cháng),預計到2027年將保持20%的增長(cháng)率。例如,SiC MOSFET與硅相比,具有高達10倍的的臨界擊穿強度,可滿(mǎn)足各種汽車(chē)應用中的高壓和功率要求。

  隨著(zhù)混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車(chē)的市場(chǎng)份額不斷增加,進(jìn)一步增加了汽車(chē)行業(yè)中對SiC的需求。全球多地政府正在加快其籌資活動(dòng)和計劃,以增加電動(dòng)汽車(chē)的普及率,從而增加市場(chǎng)優(yōu)勢。

  工業(yè)應用中對高能效的需求將加速GaN和SiC功率半導體的市場(chǎng)機會(huì )

  到2020年,電源應用將占據GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)份額的30%,在工業(yè)和消費電子應用中對GaN & SiC功率半導體需求的增長(cháng)推動(dòng)下,到2027年,其復合年增長(cháng)率將達到23%左右。為了減少工業(yè)加工過(guò)程中的能量損失,電源市場(chǎng)中對SiC和GaN等高能效材料的需求不斷增長(cháng),這將推動(dòng)市場(chǎng)需求。

  另一方面,市場(chǎng)參與者通過(guò)持續的技術(shù)創(chuàng )新,在高壓和電流工業(yè)應用中提供更強的可持續性,這將增加GaN和SiC功率半導體制造商的市場(chǎng)潛力。

  日本政府支持半導體制造業(yè)的有利舉措將刺激產(chǎn)業(yè)擴張

  2020年,亞太GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)占總收入的65%以上,由于日本政府支持該國半導體制造的積極舉措,預計2021年至2027年的復合年增長(cháng)率將達到34%。例如,2020年4月,日本政府宣布提供22億美元的資金,以幫助其國內制造商將其生產(chǎn)轉移到中國,以克服供應鏈障礙。

  GaN和SiC功率半導體的幾家主要廠(chǎng)商,例如三菱電機,瑞薩電子公司等,將加速該地區的市場(chǎng)份額增長(cháng)。這些行業(yè)領(lǐng)導者進(jìn)一步參與擴大其業(yè)務(wù)活動(dòng),這將為市場(chǎng)發(fā)展注入新的活力。

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