II-VI高意推出100Gbps磷化銦DML芯片 面向數據中心高速收發(fā)器部署

  ICC訊 （編譯：Aiur）隨著(zhù)OFC2021虛擬展會(huì )開(kāi)幕，光通訊半導體激光器全球領(lǐng)導者II-VI Incorporated(II-VI高意)宣布推出100 Gbps磷化銦(InP)直接調制激光器(DML)，應用于高速光收發(fā)器在數據中心的部署。

  400 GbE和800GbE收發(fā)器需求增長(cháng)正在驅動(dòng)對先進(jìn)DML激光器持續的技術(shù)投資，相比于目前高速收發(fā)器所使用的電吸收調制激光器(EML)，DML擁有更低的成本和更具優(yōu)勢的功耗表現。II-VI高意的100 Gbps DML擁有與眾不同的能力，可以在高輸出功率和低功耗的前提下實(shí)現領(lǐng)先的調制速率和信號完整。因此，II-VI高意DML芯片比EML更適合基于100Gbps光通道的400GbE和800 GbE光收發(fā)器。

  II-VI高意磷化銦器件事業(yè)部副總裁Charlie Roxlo博士表示：“嵌入式直接調制激光器是一種非常先進(jìn)的技術(shù)，我們的早期研究成果于2021年1月發(fā)表在《自然光子學(xué)》雜志上，我們實(shí)現這一突破性的成果的原因是得益于多年的研發(fā)投資和廣泛的內部多學(xué)科半導體激光物理學(xué)家團隊的深厚專(zhuān)業(yè)知識、高速射頻模擬IC設計人員和收發(fā)器專(zhuān)家?！?

  II-VI高意新型DML芯片的研制是基于公司世界級、高可靠的InP技術(shù)平臺，該平臺在過(guò)去十年里獲得超過(guò)100萬(wàn)顆激光器芯片實(shí)際部署，是業(yè)內少數幾個(gè)經(jīng)受驗證的技術(shù)平臺之一。II-VI高意DML的低功耗特點(diǎn)和面向非氣密性封裝的設計是今天可插拔收發(fā)器和未來(lái)共封裝(co-packaged)解決方案理想的選擇。

  II-VI高意廣泛的InP芯片產(chǎn)品包括FP激光器、DML、EML和可調諧激光器，以及應用于高速接收器和功率監控的光電二極管產(chǎn)品。這些芯片適用于Lan-WDM和CWDM波長(cháng)計劃。