三星宣布成功完成8納米射頻解決方案開(kāi)發(fā)

  ICC訊  三星官網(wǎng)今日發(fā)布消息稱(chēng)，該公司已推出了基于8納米工藝的最新射頻技術(shù)。

  三星表示，這一先進(jìn)的工藝技術(shù)有望提供專(zhuān)門(mén)用于支持多通道和多天線(xiàn)芯片設計的5G通信“單芯片解決方案”。三星的8納米射頻平臺將把該公司在5G半導體市場(chǎng)的領(lǐng)導地位從Sub-6GHz頻段擴展至毫米波應用。

  三星的8納米射頻工藝技術(shù)是對目前已經(jīng)廣泛使用的包括28納米和14納米在內的射頻相關(guān)解決方案的最新補充。自2017年以來(lái)，三星為高端智能手機出貨了超過(guò)5億顆移動(dòng)終端射頻芯片。

  “通過(guò)卓越的創(chuàng )新和工藝制造，我們加強了我們的下一代無(wú)線(xiàn)通信產(chǎn)品?！?A href="http://joq5k4q.cn/site/CN/Search.aspx?page=1&keywords=%e4%b8%89%e6%98%9f&column_id=ALL&station=%E5%85%A8%E9%83%A8" target="_blank">三星電子代工技術(shù)開(kāi)發(fā)團隊主管Hyung Jin Lee表示?！半S著(zhù)5G毫米波的擴展，對于那些在緊湊型移動(dòng)終端上尋求實(shí)現更長(cháng)電池壽命和出色信號質(zhì)量的客戶(hù)來(lái)說(shuō)，三星8納米射頻將成為一個(gè)很好的解決方案?！?

  隨著(zhù)向先進(jìn)節點(diǎn)的不斷擴展，數字電路在性能、功耗和面積(PPA)方面得到了顯著(zhù)改善，而模擬/射頻模塊由于退化寄生效應(例如窄線(xiàn)寬引起的電阻增加)而沒(méi)有得到這種改善。因此，大多數通信芯片趨向于出現射頻特性退化，例如接收頻率放大性能劣化和功耗增加。

  為了克服模擬/射頻擴展方面的挑戰，三星開(kāi)發(fā)了一種獨特的8納米射頻專(zhuān)用架構，名為RFextremeFET (RFeFET)，可以顯著(zhù)改善射頻特性，同時(shí)降低功耗。與14納米射頻相比，三星的RFeFET補充了數字PPA擴展，同時(shí)恢復了模擬/射頻擴展，從而實(shí)現了高性能5G平臺。

  三星在新聞稿中寫(xiě)道，三星的工藝優(yōu)化最大限度地提高了通道移動(dòng)性，同時(shí)最大限度地減少了寄生效應。由于RFeFET的性能大幅提升，射頻芯片的晶體管總數和模擬/射頻塊的面積可以實(shí)現減小。與14納米射頻相比，由于采用RFeFET架構創(chuàng )新，三星的8納米射頻工藝技術(shù)將功率效率提高了35%，而射頻芯片面積減少了35%。