ICC訊 11 月 29 日消息,華為技術(shù)有限公司在近日公開(kāi)了“芯片封裝組件、電子設備及芯片封裝組件的制作方法”專(zhuān)利,公開(kāi)號為 CN113707623A。
企查查專(zhuān)利摘要顯示,本申請公開(kāi)了一種芯片封裝組件、電子設備及芯片封裝組件的制作方法。
芯片封裝組件包括封裝基板、芯片和散熱部,封裝基板包括上導電層、下導電層和連接在上導電層和下導電層之間的導電部;芯片包括相背設置的正面電極和背面電極,芯片內嵌在封裝基板內,導電部包圍芯片,正面電極與下導電層連接,背面電極與上導電層連接;散熱部連接于上導電層遠離芯片的表面;上導電層、下導電層和導電部均具導熱性能。
本申請通過(guò)設置芯片與封裝基板的上導電層以及下導電層連接,從而芯片產(chǎn)生的熱量可進(jìn)行雙向傳導散熱,并在上導電層上設置散熱部,使得芯片封裝組件能夠達到更優(yōu)的散熱效果。
據了解,當前電子設備越來(lái)越輕薄,芯片封裝組件的集成度越來(lái)越高,存在著(zhù)較為嚴重的散熱問(wèn)題,芯片無(wú)法得到有效散熱的話(huà),會(huì )有一定的安全隱患,華為這項專(zhuān)利可以較好的解決部分散熱問(wèn)題。