180Gbit/s的高效率氮化硅波導耦合鍺光電探測器

  “光電探測器是現代通信和在線(xiàn)服務(wù)的速度極度依賴(lài)的超快光子器件之一，理想的光電探測器滿(mǎn)足高量子效率、低暗電流、寬輸入功率動(dòng)態(tài)范圍、單通道高達100Gbit/s。中國信息通信科技集團有限公司CICT提出的硅上鍺光電二極管架構，使用與鍺吸收區平行的氮化硅波導，使光電探測器的響應度增加近兩倍，傳輸速率高達180 Gbit/s”

  在信息時(shí)代，我們所享受的即時(shí)通信和在線(xiàn)服務(wù)，依賴(lài)超快硅光子器件的發(fā)展。硅光子學(xué)是量子通信、相干通信和數據中心的關(guān)鍵技術(shù)，硅光子器件實(shí)現了高吞吐的光信號傳輸與轉換。其中，硅光子光電探測器將接收到的光信號轉換成電信號。隨著(zhù)信息流量的持續增加，迫切需要小型化、高速、高效率的光電探測器。

  理想的光電探測器應要有高量子效率、低暗電流、寬輸入功率動(dòng)態(tài)范圍、單通道高達100Gbit/s。然而硅材料在1.3–1.55微米通信波段是低量子效率的，而鍺(Ge)材料具有大吸收系數，具有優(yōu)異的光電特性。近日，中國信息通信科技集團有限公司CICT的Xi Xiao等人在Optics Letters，發(fā)表了題為“180 Gbit/s Si3N4-waveguide coupled germanium photodetector with improved quantum efficiency”的研究結果，報道了一種高量子效率的高速氮化硅波導耦合鍺光電探測器。

  Si3N4波導耦合光電探測器示意圖

  該工作在商用90納米硅光子工藝平臺上完成，通過(guò)將錐形氮化硅波導和底部硅之間的間距減小到200納米，并將氮化硅的厚度減小到300納米，顯著(zhù)改善量子效率。在1550納米波長(cháng)的光電響應的實(shí)驗結果是0.61安/瓦，以及高達180Gbit/s的四電平脈沖幅度調制，是迄今為止所報道的最高數據速率。

眼圖：3.3V偏置條件下測量的150、160、170和180 Gbit/s

  該研究被OSA選為焦點(diǎn)工作，Periklis Petropoulos在焦點(diǎn)總結(Spotlight Summary )中指出：“……研究一種硅上鍺光電二極管架構，它能夠以極高的速度工作，同時(shí)又實(shí)現高效率，它使用與鍺吸收區平行的氮化硅波導，確保光生載流子的均勻分布，……，這是一個(gè)重大的結果，進(jìn)一步推動(dòng)了芯片上最快元件的競爭!”

  參考文獻：

  1. Xiao Hu, Dingyi Wu, Daigao Chen, Lei Wang, Xi Xiao, and Shaohua Yu. 180 Gbit/s Si3N4-waveguide coupled germanium photodetector with improved quantum efficiency. Optics Letters Vol. 46, Issue 24, pp. 6019-6022 (2021) ，https://doi.org/10.1364/OL.438962

  2. https://www.osapublishing.org/ol/fulltext.cfm?uri=ol-46-24-6019

  3. https://www.osapublishing.org/spotlight/summary.cfm?id=465895