II-VI與英飛凌簽署多年合同 供應用于電力電子的碳化硅基板

  ICC訊（編譯：Nina）2022年8月23日，寬帶隙化合物半導體的領(lǐng)導者II-VI公司(Nasdaq: IIVI)今天宣布，它與英飛凌科技股份有限公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)簽署了一份多年合同，為后者提供用于電力電子的150毫米碳化硅(SiC)基板。

  電動(dòng)汽車(chē)(EV)市場(chǎng)的飛速增長(cháng)正在推動(dòng)EV動(dòng)力傳動(dòng)系統、車(chē)載電池充電單元和充電基礎設施對基于SiC的電力電子設備的需求。與最先進(jìn)的硅基器件相比，SiC使電力電子器件更小、更高效，系統級總擁有成本更低。通過(guò)這份合同，英飛凌正在采取戰略步驟來(lái)確保其150毫米SiC基板的供應。II-VI和英飛凌還將合作向200毫米SiC基板過(guò)渡。

  II-VI新風(fēng)險投資與寬帶隙電子技術(shù)業(yè)務(wù)部(New Ventures & Wide-Bandgap Electronics Technologies Business Unit)執行副總裁Sohail Khan表示：“英飛凌作為功率半導體的市場(chǎng)領(lǐng)導者，是我們的重要合作伙伴。我們高度專(zhuān)業(yè)化的產(chǎn)品現在正在幫助英飛凌為全球主要客戶(hù)提供創(chuàng )新的電子元件?！?

  英飛凌首席采購官Angelique van der Burg表示：“SiC化合物半導體在功率密度和效率方面樹(shù)立了新標準。我們正在利用它們來(lái)實(shí)現我們的去碳化和數字化戰略。英飛凌正在加大對SiC制造能力的投資，以滿(mǎn)足客戶(hù)快速增長(cháng)的需求。我們很高興將II-VI加入到我們的戰略供應商群，共同發(fā)展我們的業(yè)務(wù)?！?

  2022年3月，II-VI宣布將在賓夕法尼亞州伊斯頓近30萬(wàn)平方英尺的工廠(chǎng)進(jìn)行大規模擴建，加快在150毫米和200毫米SiC基板制造方面的投資。隨著(zhù)這次擴建，到2027年，II-VI 150毫米基板年產(chǎn)能將達到110萬(wàn)個(gè)，200毫米基板的比例將隨著(zhù)時(shí)間的推移而增長(cháng)。