臺積電開(kāi)始準備為蘋(píng)果及英偉達試產(chǎn)2納米芯片

  ICC訊 據Patently apple報道，臺積電最近也開(kāi)始準備為蘋(píng)果和英偉達試產(chǎn)2納米產(chǎn)品。另外，為了開(kāi)發(fā)2納米制程，臺積電將派約1000名研發(fā)人員前往位于竹科、目前正在建設中的Fab 20晶圓廠(chǎng)工作。

  報道稱(chēng)，三星電子于2022年6月通過(guò)環(huán)柵(GAA)工藝開(kāi)始量產(chǎn)3納米芯片，比臺積電提前6個(gè)月，世界第一。受到三星先發(fā)制人的打擊，臺積電高層多次公開(kāi)2納米制程計劃，引發(fā)超精細制造競賽。

  英特爾也加入這場(chǎng)競賽，其設定了一個(gè)目標，即在2024年下半年推進(jìn)其代工生產(chǎn)1.8納米制程內的芯片。3月，該公司制定了一項計劃，使用通過(guò)與ARM建立合作伙伴關(guān)系實(shí)現1.8納米工藝。不過(guò)，也有業(yè)內人士悲觀(guān)地認為，即使英特爾按照路線(xiàn)圖取得成功，要實(shí)現收支平衡對公司來(lái)說(shuō)也是一個(gè)很大的挑戰。

  據悉，臺積電計劃在竹科建設全球最尖端的2納米芯片工廠(chǎng)，計劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)。臺積電的2納米技術(shù)在相同功耗下，相比3納米工藝的速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%。