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iFOC 2023首日 | 光通信半導體芯片專(zhuān)題成功舉辦

摘要:iFOC 2023首日,在專(zhuān)題論壇《通信半導體芯片、材料》成功

  ICC訊 9月4日,第21屆訊石光纖通訊市場(chǎng)暨技術(shù)專(zhuān)題研討會(huì )(iFOC 2023)在深圳正式開(kāi)幕,會(huì )議首日共有600多為光電行業(yè)人士參加。在專(zhuān)題論壇《通信半導體芯片、材料》上,來(lái)自中科半導體研究所、光梓科技、長(cháng)瑞光電、鈮奧光電、長(cháng)光華芯、深圳大學(xué)和訊石咨詢(xún)的技術(shù)專(zhuān)家和市場(chǎng)分析師分享行業(yè)報告,講述光通信芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展動(dòng)態(tài)和未來(lái)機遇。

會(huì )議由賽勒科技CEO 甘甫烷博士擔任主持

  中國科學(xué)院半導體研究所研究員李智勇發(fā)表《硅光集成芯片的光源研究進(jìn)展》報告,面向新一代數據中心、高性能集成電路等應用,超大容量信息技術(shù)的應用需求,包括Tbps數據帶寬、pJ/bit量級功耗、高密度收發(fā)集成陣列等。行業(yè)迫切需要更高速率、更優(yōu)性能的光互連技術(shù),光電子材料與器件等方面都需要有持續的改進(jìn)優(yōu)化和性能提升,硅光集成芯片的新進(jìn)展值得期待。硅光集成芯片的光源方案是關(guān)鍵環(huán)節,核心問(wèn)題是如何實(shí)現高效率、低能耗等先進(jìn)性能,新型技術(shù)原理值得深入探索研究,并加速進(jìn)行開(kāi)發(fā)驗證。

  光梓科技董事長(cháng)、CTO姜培教授發(fā)表《硅基光互連電芯片的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化》報告,闡述了硅基光互連電芯片的演進(jìn),極少基于CMOS工藝的25G/λ收發(fā)電芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,以及基于BiCMOS工藝的50G & 100G/λ收發(fā)電芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。光梓科技是我國高速光電集成芯片領(lǐng)域內的領(lǐng)軍企業(yè)之一,利用全自主產(chǎn)權的核心技術(shù),聯(lián)合國際頂級晶圓制造企業(yè),開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化以CMOS/BiCMOS為基的高速低功耗模擬光電子芯片,為快速增長(cháng)的云計算大數據中心和5G無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò )系統提供在性能、功耗、成本結構上都有極強競爭力的高性能核心電芯片。

  長(cháng)瑞光電 VCSEL研發(fā)副總向宇發(fā)表《全國產(chǎn) VCSEL 發(fā)展與挑戰》報告,在激光探測、識別及短距離光纖傳輸領(lǐng)域,多模VCSEL芯片扮演著(zhù)重要的角色。全球云服務(wù)和人工智能的興起,帶動(dòng)了新一輪大規模數據中心的建設,也帶來(lái)了高端VCSEL芯片需求量的增長(cháng)。本報告主要從芯片外延、晶圓制造、芯片測試等方面重點(diǎn)介紹國產(chǎn)VCSEL芯片在規?;a(chǎn)與客制化服務(wù)上的最近進(jìn)展。

  鈮奧光電董事長(cháng)蔡鑫倫發(fā)表《薄膜鈮酸鋰光電子集成技術(shù)與芯片》報告,近年來(lái),薄膜鈮酸鋰作為新的集成光電子材料平臺受到了廣泛的關(guān)注,相比于傳統體材料鈮酸鋰,薄膜鈮酸鋰波導可以制作亞微米尺度的光波導,不但提高了器件的集成度,而且大大提高了對光場(chǎng)的限制,增強了光場(chǎng)和鈮酸鋰材料的相互作用,因而可以實(shí)現超高電光帶寬、超低的驅動(dòng)電壓以及超低光學(xué)損耗,有望在電光調制器領(lǐng)域掀起一場(chǎng)革命。本報告主要介紹鈮奧光電近年來(lái)在薄膜鈮酸鋰光電子器件的若干進(jìn)展。

  長(cháng)光華芯副總經(jīng)理吳真林發(fā)表《AI 時(shí)代高速光芯片的機遇與挑戰》報告,AI 時(shí)代高速光芯片的機遇與挑戰。EML激光器方案將是800G光模塊未來(lái)2年的主流方案,EML需求將大幅增加。當前100G及以上高速光通信芯片主要依賴(lài)進(jìn)口,特別是100G VCSEL多模應用。終端方案商的芯片供應鏈產(chǎn)能面臨不足的可能性,這將是國產(chǎn)化參與的機會(huì )。

  中國科學(xué)院半導體研究所研究員陸丹發(fā)表《磷化銦基單波100G及以上光發(fā)射芯片技術(shù)》報告,在即將規?;逃玫?00G以及未來(lái)800G光通信系統中,單波100Gbps及以上光發(fā)射技術(shù)將成為主流的技術(shù)方案。目前,基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的單片/混合集成方案與基于硅光器件的混合集成方案均為單波100Gbps光模塊提供了可行的技術(shù)路線(xiàn)。本報告將重點(diǎn)介紹磷化銦(InP)基高速光發(fā)射芯片的技術(shù)進(jìn)展,對InP基電吸收調制激光器(EML)與直調激光器(DML)的關(guān)鍵技術(shù)與近期發(fā)展趨勢進(jìn)行總結梳理。

  此外,訊石咨詢(xún)分析師發(fā)表《通信光芯片市場(chǎng)發(fā)展分析與預測》報告,對光芯片市場(chǎng)競爭格局、市場(chǎng)需求走勢和價(jià)格變動(dòng)進(jìn)行分析和預測。

  圓桌論壇討論了通信芯片發(fā)展機遇與挑戰,由新華三光互聯(lián)系統架構師王雪主持,中芯光電董事長(cháng)章雅平、光梓科技CEL 史方,廈門(mén)優(yōu)迅市場(chǎng)總監魏永益、中國科學(xué)院半導體研究所研究員陸丹和鈮奧光電董事長(cháng)蔡鑫倫擔任論壇嘉賓,就光電子芯片技術(shù)差異、市場(chǎng)需求、國產(chǎn)化機遇和芯片企業(yè)成長(cháng)心得進(jìn)行分享。

iFOC 2023《通信半導體芯片、材料》專(zhuān)題會(huì )場(chǎng)

內容來(lái)自:訊石光通訊網(wǎng)
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關(guān)鍵字: 薄膜鈮酸鋰 光芯片
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