優(yōu)秀技術(shù)獎丨長(cháng)光華芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片

  12月28日，訊石英雄榜頒獎典禮在蘇州順利舉辦，光通信領(lǐng)域專(zhuān)家從參選產(chǎn)品的技術(shù)、成本、市場(chǎng)占有率、客戶(hù)滿(mǎn)意度和第三方權威驗證等數據，并結合經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jì)、增長(cháng)率、研發(fā)強度、專(zhuān)利等，評定出2023年度訊石英雄榜上榜單位。

  長(cháng)光華芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片榮獲第十屆訊石英雄榜優(yōu)秀技術(shù)獎。

優(yōu)秀技術(shù)獎獲獎企業(yè)合影

長(cháng)光華芯獲獎產(chǎn)品

  長(cháng)光華芯單波100Gbps (56Gbaud四電平脈沖幅度調制(PAM4))電吸收調制器激光二極管(EML)芯片：

  支持四個(gè)波長(cháng)的粗波分復用(CWDM)，達到了使用4顆芯片實(shí)現400Gbps傳輸速率，或8顆芯片實(shí)現800Gbps傳輸速率的應用目標。

  采用脊波導結構，支持4個(gè)CWDM波長(cháng)-1271、1291、1311和1331nm，允許不同波長(cháng)的光信號在單個(gè)光纖中復用，從而減少所需要的光纖數量。

  電吸收調制器調制速率達56GBd，可使用56GBd PAM4信號支持112Gb/s，具有高功率、低功耗、高帶寬、低RIN，oDSP直驅、高可靠性的優(yōu)點(diǎn)。

  符合RoHS標準和Telcordia GR-468標準，是當前400G/800G 超算數據中心互連光模塊的核心器件。

  長(cháng)光華芯2012年成立于蘇州，采用IDM模式，突破外延生長(cháng)、芯片制造、封測各環(huán)節關(guān)鍵技術(shù)及工藝，擁有半導體激光行業(yè)中最大的6吋生產(chǎn)線(xiàn)。構建了砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和氮化鎵(GaN)三大材料體系，具備邊發(fā)射和面發(fā)射兩大芯片結構技術(shù)和工藝生產(chǎn)平臺。

長(cháng)光華芯IDM全流程工藝平臺

  在光通信方面，長(cháng)光華芯從2010年就開(kāi)始了磷化銦激光芯片產(chǎn)線(xiàn)的布局，經(jīng)過(guò)多年的攻關(guān)和籌備，長(cháng)光華芯已攻克材料外延生長(cháng)的精確控制和穩定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題，致力于高速率光通信芯片的設計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售。目前長(cháng)光華芯已向市場(chǎng)批量供應高速光通信激光芯片、光電探測器芯片等多個(gè)產(chǎn)品類(lèi)別，產(chǎn)品性能指標先進(jìn)。

  目前長(cháng)光華芯10G EML、100mW CW DFB、50G PAM4 VCSEL、56GBd PAM4 EML CoC等多款產(chǎn)品已向市場(chǎng)批量供應，應用覆蓋接入網(wǎng)、數據中心場(chǎng)景下的10G、100G-800G速率的多種應用。

  同時(shí)結合AI時(shí)代數據中心DC建設對核心光芯片的需求，公司也在全力研發(fā)攻克更高性能水平光通信芯片產(chǎn)品的技術(shù)和工藝難點(diǎn)，助力海內外客戶(hù)和彌補行業(yè)缺芯痛點(diǎn)。

  長(cháng)光華芯光通信系列產(chǎn)品，讓通信和超算搭上“光速”！