ICC訊 近日,高密度光電集成和光通信技術(shù)解決方案供應商—深圳市深光谷科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):深光谷科技),取得玻璃通孔光電轉接(TGV Interposer)技術(shù)重要突破。深光谷科技聯(lián)合上海交通大學(xué)和深圳大學(xué),合作開(kāi)發(fā)了晶圓級TGV光電interposer工藝,實(shí)現了國產(chǎn)首個(gè)8英寸晶圓級TGV interposer加工,實(shí)測帶寬達到110GHz,可以面向2.5D和3D光電集成封裝應用,為VCSEL、DML、EML、硅光、鈮酸鋰等技術(shù)路線(xiàn)的光模塊產(chǎn)品提供高速、高密度、高可靠性和低成本的光電共封裝(CPO)解決方案。
圖片1-TGV晶圓和interposer芯片
玻璃基先進(jìn)封裝技術(shù)近年來(lái)受到高度關(guān)注,在集成無(wú)源器件(IPD)、微顯示、AR/VR等領(lǐng)域具有突出應用優(yōu)勢。玻璃具有天然友好的光學(xué)性質(zhì),采用激光誘導刻蝕可以實(shí)現高深寬比的玻璃通孔加工,并且能夠支持大尺寸晶圓級和面板級加工,其穩定的光電性質(zhì)也帶來(lái)了高可靠性的優(yōu)點(diǎn)。2023年9月18日,英特爾推出了玻璃基板封裝的最先進(jìn)處理器,計劃于2026~2030年量產(chǎn),基于玻璃基板設計的共同封裝光學(xué)元件技術(shù)(CPO)也將在數據中心、人工智能和圖形構建等場(chǎng)景帶來(lái)顛覆性應用。
深光谷科技所開(kāi)發(fā)的TGV光電interposer采用激光誘導刻蝕結合多層重布線(xiàn)(RDL)工藝,通孔深寬比4:1,基板厚度230um,表面平整度1.2um,支持2+1層RDL,挖槽深度60um,支持光纖陣列的耦合對準,支持電芯片flipchip封裝,支持EML/SOA/硅光/鈮酸鋰等光芯片植球倒裝,實(shí)測通孔和RDL布線(xiàn)帶寬超過(guò)110GHz。
圖片2:通孔電鏡結構、RDL結構、interposer芯片、S21曲線(xiàn)
深光谷科技專(zhuān)注于光傳輸和光互連的高密度光電集成芯片、光連接器和光纖鏈路技術(shù),玻璃基光電轉接技術(shù)(TGV Interposer)將進(jìn)一步與深光谷高密度空分復用技術(shù)結合,在玻璃激光直寫(xiě)光連接器、空分復用技術(shù)扇入扇出器件等方面形成對接,從而發(fā)揮出全鏈路高密度的優(yōu)勢,支撐數據中心、算力集群、大容量傳輸等領(lǐng)域的廣泛應用。
深光谷科技是由國家級高層次人才團隊創(chuàng )立的,專(zhuān)注于高速光通信技術(shù)開(kāi)發(fā)與應用的國家高新技術(shù)企業(yè)。核心團隊成員具有新加坡南洋理工大學(xué)、香港科技大學(xué)、美國哈佛大學(xué)、英國劍橋大學(xué)等國(境)外知名高校的留學(xué)經(jīng)歷,在納米光子器件設計與開(kāi)發(fā)、光通信、光學(xué)傳感與成像等領(lǐng)域的研究處于世界領(lǐng)先水平。公司致力于開(kāi)發(fā)面向AI算力集群、數據中心、5G通信、星鏈的高密度、低功耗、大容量光通信技術(shù),以自研光電共封裝interposer芯片和空分復用光芯片為核心,利用前沿的納米光子學(xué)技術(shù),結合人工智能、深度學(xué)習等新型光器件設計方案,為大模型人工智能及5G+時(shí)代急劇增長(cháng)的數據通信容量需求提供最先進(jìn)解決方案。核心技術(shù)包括空分復用光通信技術(shù)、共封裝(CPO)光電集成互連、衛星激光通信等,核心產(chǎn)品有模式復用光芯片和器件、多芯光纖扇入扇出芯片和器件、CPO光電集成互連interposer芯片、衛星激光通信收發(fā)芯片等,擁有數十項國家發(fā)明專(zhuān)利。成果獲得中國專(zhuān)利優(yōu)秀獎、中國光學(xué)十大進(jìn)展、教育部自然科學(xué)獎等。
深光谷科技立足于當下,著(zhù)眼于未來(lái),利用其自身的尖端技術(shù)平臺,結合人工智能、深度學(xué)習等新型光器件設計方案,為大算力時(shí)代急劇增長(cháng)的數據通信容量需求提供領(lǐng)先的光互連解決方案。
如需進(jìn)一步了解,可通過(guò)如下方式聯(lián)系深光谷科技:
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