武漢鑫威源實(shí)現高性能氮化鎵激光芯片研制及產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)試產(chǎn)

  ICC訊 近日，武漢鑫威源電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“武漢鑫威源”）發(fā)布消息稱(chēng)，公司在高性能氮化鎵半導體激光器芯片方面取得重大技術(shù)突破，同時(shí)氮化鎵半導體激光器芯片產(chǎn)線(xiàn)順利完成通線(xiàn)試產(chǎn)。

  據公開(kāi)消息顯示，武漢鑫威源是一家專(zhuān)注于氮化鎵半導體激光器芯片的設計、開(kāi)發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，致力于推動(dòng)國產(chǎn)氮化鎵半導體激光器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在湖北武漢江夏區政府及相關(guān)部門(mén)的大力支持下，鑫威源完成了廠(chǎng)房建設。廠(chǎng)房位于江夏經(jīng)開(kāi)區大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園，于2024年4月完成了廠(chǎng)房建設，總投資10億元。同時(shí)，無(wú)塵車(chē)間內的恒溫恒濕、凈化、水處理及安全系統也相繼達標并投入使用。

  據悉，在項目團隊的不懈努力下，鑫威源廠(chǎng)房竣工后迅速完成了超過(guò)一百臺套制造設備的安裝和調試，成功打通了芯片制造產(chǎn)線(xiàn)。在廠(chǎng)區內，公司完成了相關(guān)技術(shù)能力的轉移，并順利進(jìn)行了產(chǎn)品試驗生產(chǎn)。今年9月，武漢鑫威源實(shí)現了藍光450 nm激光芯片的重大技術(shù)突破：閾值電流小于 0.25 A，功率大于7 W@3.5 A，光電轉換效率WPE達到45%，芯片綜合技術(shù)指標處于國內頂尖水平。產(chǎn)品技術(shù)可以滿(mǎn)足市場(chǎng)對大功率氮化鎵半導體激光器的應用要求，為后續的量產(chǎn)奠定了堅實(shí)的基礎。

  作為新興光電子行業(yè)的高科技企業(yè)，武漢鑫威源電子科技有限公司旨在建設一流的氮化鎵大功率半導體激光器全流程的研究及生產(chǎn)平臺，企業(yè)相關(guān)負責人表示：在項目投產(chǎn)后，將彌補國內白，企業(yè)也會(huì )將促進(jìn)氮化鎵半導體激光器在國內的應用和發(fā)展作為己任，持續推動(dòng)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級。

  此次通線(xiàn)試產(chǎn)的成功，不僅展示了武漢鑫威源在氮化鎵激光芯片技術(shù)領(lǐng)域的強大實(shí)力，也標志著(zhù)企業(yè)在實(shí)現國產(chǎn)氮化鎵半導體激光器產(chǎn)業(yè)化方面邁出了關(guān)鍵一步。未來(lái)，武漢鑫威源將繼續致力于技術(shù)創(chuàng )新和產(chǎn)品質(zhì)量提升，為國內外市場(chǎng)提供高性能、可靠的氮化鎵半導體激光器產(chǎn)品，助力光電子行業(yè)的蓬勃發(fā)展。