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硅基光電子市場(chǎng)動(dòng)態(tài)與預測分析

摘要:硅基光電子市場(chǎng)在數據通信、電信和傳感等多領(lǐng)域顯著(zhù)增長(cháng)。數據通信向更高速率轉變,電信聚焦波分復用,傳感需專(zhuān)業(yè)化芯片。CPO技術(shù)助力高性能計算,市場(chǎng)預測2023-2029年收入將從14億增至103億美元。

  ICC訊 硅基光電子市場(chǎng)在數據通信、電信和傳感應用等多個(gè)領(lǐng)域顯示出顯著(zhù)增長(cháng)。本分析探討這些不同領(lǐng)域的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)和詳細預測[1]。

 

圖1:2023年至2029年硅基光電子模塊收入增長(cháng)預測,顯示各應用領(lǐng)域的細分。

  數據通信市場(chǎng)發(fā)展

  數據通信領(lǐng)域是硅基光電子最大的市場(chǎng),正經(jīng)歷數據速率和平臺技術(shù)的重要轉變。市場(chǎng)正從100G/通道向200G/通道傳輸速率轉變。這一轉變涉及調制方案、驅動(dòng)電路和光學(xué)器件的復雜改進(jìn)。更高的數據速率需要更先進(jìn)的信號處理和改進(jìn)的熱管理系統。

圖2:數據通信光電子集成芯片收入和出貨量的詳細預測,突出顯示可插拔光學(xué)器件領(lǐng)域的增長(cháng)。

  可插拔光收發(fā)器的技術(shù)發(fā)展顯示出從400G到800G模塊的進(jìn)展,更高級的1.6T和3.2T解決方案正在積極開(kāi)發(fā)中。這種進(jìn)步需要調制器帶寬、光電探測器響應時(shí)間和整體信號完整性的顯著(zhù)提升。向更高數據速率的轉變需要新的熱管理和功耗優(yōu)化方法。

圖3:數據通信應用的最新趨勢,展示不同傳輸距離范圍內光互連技術(shù)的演變。

  電信市場(chǎng)發(fā)展

  硅基光電子的電信領(lǐng)域主要集中在波分復用和無(wú)線(xiàn)應用。城域網(wǎng)和長(cháng)距離網(wǎng)絡(luò )的先進(jìn)相干光學(xué)解決方案日益突出。這些系統采用復雜的數字信號處理技術(shù)和先進(jìn)的調制格式,實(shí)現更高的頻譜效率和更好的傳輸距離。

圖4:直調直檢(IMDD)與相干技術(shù)在電信應用中的比較。

  傳感市場(chǎng)機遇

  傳感市場(chǎng)包括激光雷達、醫療診斷和生物標志物監測應用,需要高度專(zhuān)業(yè)化的光電子集成芯片。這些應用需要精確控制相位敏感性、波長(cháng)穩定性和最小光學(xué)損耗等光學(xué)特性。傳感功能的集成通常需要新的封裝和環(huán)境保護方法。

圖5:基于硅基光電子技術(shù)的工業(yè)傳感應用概述,包括電子鼻和環(huán)境傳感器。

  光電共封裝的演進(jìn)

  CPO的發(fā)展解決了高性能計算和網(wǎng)絡(luò )應用中功耗和密度的基本挑戰。這種方法需要仔細考慮熱管理、信號完整性和制造工藝。光學(xué)和電子器件的近距離集成在串擾、熱干擾和可靠性方面帶來(lái)獨特挑戰。

圖6:從傳統可插拔格式到共封裝解決方案的光學(xué)封裝演變,顯示外形尺寸和集成水平的發(fā)展。

  市場(chǎng)預測和技術(shù)展望

  全面的市場(chǎng)分析顯示出各個(gè)領(lǐng)域的強勁增長(cháng)趨勢。硅基光電子模塊市場(chǎng)從2023年的14億美元增長(cháng)到2029年的103億美元的預測反映了制造工藝、良率提升和技術(shù)集成能力的進(jìn)步。這種增長(cháng)得到材料科學(xué)、工藝集成和設計優(yōu)化發(fā)展的支持。

圖7:2023年至2029年所有應用的硅基光電子芯片收入和出貨量的全面預測。

  技術(shù)平臺市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

  不同技術(shù)平臺在市場(chǎng)中相互競爭,各自在特定應用中具有獨特優(yōu)勢。傳統硅基光電子平臺提供高集成密度和CMOS兼容性,而鈮酸鋰解決方案提供卓越的調制能力?;诹谆煹姆椒ㄖС止鈱W(xué)有源器件的直接集成。這些技術(shù)差異推動(dòng)市場(chǎng)細分和特定應用的采用模式。

圖8:不同光電子集成芯片技術(shù)平臺的收入增長(cháng)預測,顯示各種解決方案的相對市場(chǎng)地位。

  結論

  硅基光電子市場(chǎng)在多個(gè)領(lǐng)域顯示出穩健的增長(cháng),在數據通信應用中表現尤為突出。向更高數據速率和更集成化解決方案的技術(shù)演進(jìn)推動(dòng)了材料、工藝和設計方法的創(chuàng )新。良率優(yōu)化和成本降低仍是未來(lái)發(fā)展需要考慮的重要因素。

  參考文獻

  [1] M. Vallo and E. Mounier, "Silicon Photonics 2024 - Focus on SOI, SiN and LNOI Platforms," Yole Intelligence, Lyon, France, 2024.

內容來(lái)自:逍遙科技
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